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    公开号:WO1980002633A1
    申请号:PCT/JP1980/000111
    申请日:1980-05-23
    公开日:1980-11-27
    发明作者:K Kurosawa；K Miyagawa；H Mitsui；A Miyabara；M Yamashita；K Yamamoto；T Imura
    申请人:Fujitsu Ltd；K Kurosawa；K Miyagawa；H Mitsui；A Miyabara；M Yamashita；K Yamamoto；T Imura；
    IPC主号:H05K3-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 中空多層プ リ ン ト 配線板及びその製法
    [0003] 技術分野
    [0004] この発明は中空多層プ リ ン ト 配線板及びその製法 に関する 。 この明細書において使用する 「中空多層 プ リ ン ト 配線板」 と は、 それぞれ導体パタ ー ンが形 成された少 ¾ く と も 2 つの絶縁材料ででき た基板か らな 、 各導体ハ タ ー ンは要求に応 じて相互接続さ れてお ] P、 各基板は隣接する基板 と の間に絶縁性ガ スま たは液体で満ちた所定間隔のス ペ ー スを置いて 積層された配線板を指す。
    [0005] 背景技術
    [0006] 近年、 小型の ト ラ ン ジ ス タ ー、 集積回路な ら びに その他の電子装置及び部品を製造しよ う と する趨勢 に伴い、 部品相互の間隔を低減 して多層プ リ ン ト配 線板の配線密度を実質的に高める こ とが要求されて いる 。 この要求を充足するためには寸法安定度の高 い基板を用い ¾ければな らない。 さ らに、 号導体 ハ。タ ー ン ど う しを接近 して配置 し ¾ければ ら ない ため、 次の よ う な難点を生じている o 5i ~ *に、 信号 ハ° タ ー ン の電気信号が隣接信号ハ°タ ー ン に混入 して 信号を妨害 した D ノ ィ ズを生 じる 。 す わち、 いわ ゆる ク ロ ス ト ーク現象が発生する 。 第二に、 部品を 特に基板に直接結合する場合には'基 ¾ί表 ¾]に温度上
    [0007] OMPI 0 昇を生 じ、 その結果部品及び基板の特性を劣化させ 時には部品の破損を招 ぐ o
    [0008] 常用される多層プ リ ン ト配線板のほ とんどは、 熱 硬化性樹脂のプ レ ボ リ マ ーを含浸せしめたガ ラ ス繊 維か ら る接着層を介在せ しめて、 導体ハ。タ ー ン が 形成された複数の基板を積層する こ と に よ 1)調製さ れる 。 しか しな力 ら、 使用する接着層は良好な耐熱 性、 低い硬化収縮率及び良好る成形性とい う多 く の 要求を満足する も のでなければ ¾ ら な い 。 従っ て、 実装密度の増大に伴い、 熱硬化性樹脂を含浸せるガ ラ ス繊維か ら なる接着層を用いて複合構造体を製造 する こ と はます す困難にな って る
    [0009] 発明の開示
    [0010] それ故、 本発明の主目的は、 従来品に比べて、 良 好な耐熱性と共に向上 した寸法安定性を示 し、 且つ 伝送特性及び冷却特性が向上した多層プ リ ン ト 配線 板を提供するにある 。
    [0011] 本発明のその他の 目的及び利点は以下の説明か ら 明 らかと なろ う 。
    [0012] 本発明はその一面におい て、 ス ぺーサを介在せし めてま たは介在せ しめる こ と な く 、 少な く と も 1 つ の表面に信号導体ハ° タ ー ン を有 し、 少な く と も 1 つ の表面に ラ ン ド導体ハ。タ ー ンを有する複数の基板を 絶縁性ガ スまたは液体で満たされた所定のス ペ ー ス
    [0013] ( ΟΜΡΙ をおいて相互に積層 した中空多層プ リ ン ト配線板を 提供する 。 各 板はその ラ ン ド導体ハ0 タ ー ン にメ ッ. キされたス ル ー ホ ー ル を有 し、 各メ ツ キされたス ル 一ホ ールは瞵 ] の両基板の各々 または少な く と も一 方のメ ツ キ されたス ル ーホ ー ル と同一直線上にあ つ て 1 つの メ グ キされたス ル ー ホ ー ルま たは ィ ン タ ー ス テ ィ シ ャ ル ノ ィ ャホー ルを形成 している 。 各 ス ル —ホ ール を規定する メ ツ キ層の少な く と も上下両端 表面には低融点金属の層が形成され、 この低融点金 属層は複数の基板の 2 も し く はそれ以上の信号導体 ノ ^ 一ン間の導通作用及び複数の基板の層間接着作 用を している 。 積層された基板は少な く と も 1 つ の表面基板を除いて耐熱性有機合成樹脂シ ー ト ま た は絶縁処理された金属シー ト でで き ている 。
    [0014] 本発明は他.の一面において、 上述の よ う る中空多 層プ リ ン ト 配線板の製法を提供する 。 その第 1 の製 法は次の 2 つのェ程を含んでなる ：
    [0015] 少 ¾ く と も一方の表面に形成された信号導体ハ°タ ー ン を有 し、 少な く と も 一方の表面に形成された ラ ン ド導体ハ0タ ー ンを有 し、 さ らに該ラ ン ドハ。タ ー ン に メ ッ キ さ れたス ル ーホ ー ルを有 し、 該メ ツ キされ たス ル一ホ ールを規定する各メ ツ キ層の少 ¾ く と も 上下両端.表面には低融点金属の層が形成されてな る 複数のプ リ ン ト基板を調製 し、 次いで、
    [0016] O PI 上記プ リ ン ト基板の各メ ツ キされたス ル ーホ ー ル が隣 ] の両基板の各々ま たは少な く と も 一方のメ ッ キされたス ル ー ホ ー ル と 同一直線上に位置する よ う に上記複数のプリ ン ト基板を積み重ね、 低融点金属 の層を有する基板を隣接する基板に融着するに充分 な熱及び圧力を適用する 。
    [0017] 第 2 の製法は次の 3 つの工程を含んで ¾る ： 少な く と も一方の表面に形成された信号導体ハ°タ ーンを有 し、 少な く と も一方の表面に形成された ラ ン ド導体パタ ー ンを有 し、 さ らに少な く と も 該ラ ン ド導体パタ ー ン上に形成された低融点金属の層を有 する耐熱性有機合成樹脂シ ー ト または絶縁処理され た金属シ ー ト でできたプ リ ン ト 基板を調製し、 、 低融点金属の層が形成された各基板の ラ ン ド導体 ハ°タ ーンが隣接する'基板の低融点金属の層が形成さ れ t ラ ン ド導体ハ。タ ーン と接触する よ う に各基板を 積み重ね、 低融点金属の層を有する各基板が、 隣接 する基板に融着するに充分な熱及び圧力を適用 し、 次いで、
    [0018] 積層された基板の融着ラ ン ド導体ハ。タ ー ン に ス ル 一ホ ー ルを穿設し、 該ス ル ー ホ ー ル の少な く と も 内 壁面に メ ツ キ導体層を形成 して複数の基板の 2 も し く はそれ以上の信号導体ハ°タ ー ン間の導通作用を すメ ツ キされたス ル ー ホ ー ルを完成する 。
    [0019] O PI 図面の簡単な説'明
    [0020] 第 1 A図乃至第 1 D 図は本発明方法の好ま しい一.
    [0021] 態様に従って中空多層プ リ ン ト 配線板を製造する逐
    [0022] 次工程を断面で略示 したも のである 。
    [0023] 第 2 A 図乃至第 2 G 図は本発明方法の他の好ま し
    [0024] い態様に従って中空多層プ リ ン ト 配線板を製造する
    [0025] 逐次工程を断面で略示 した も のである 。
    [0026] 第 3 A 図乃至第 3 C 図は本発明方法の更に他の好
    [0027] ま しい態様に従っ て中空多層プ リ ン ト 配線板を製造
    [0028] する逐次工程を断面で略示 した も のである 。
    [0029] 第 4 A図乃至第 4 C 図は非中空多層プ リ ン ト 配線
    [0030] 板か ら ¾る基板を有する修正された中空多層プ リ ン
    [0031] ト 配線板を製造する逐次工程を断面で略示 した も の
    [0032] で ¾ る 。
    [0033] 第 5 A 図乃至第 5 F 図はス ル ーホ ー ルを有するプ
    [0034] リ ソ ト基板を調製する逐次工程を断面で略示 した も
    [0035] のである 。
    [0036] 第 6 A 図乃至第 6 F 図はス ル ー ホ ー ルを有する別
    [0037] のプリ ン ト 基板を調製する逐次工程を断面で略示 し
    [0038] たも のである 。
    [0039] 第 7 A 図乃至第 7 G 図はス ル ー ホ ー ルを有する更
    [0040] に他のプ リ ン ト基板を調製する逐次工程を断面で略
    [0041] 示 した も .の である 。
    [0042] 第 8 A 図乃至第 8 H図はス ル ーホ ー ルを有する更
    [0043] _ O PI ヽ に他のプ リ ン ト基板'を調製する逐次工程を断面で略 示 したも のである 。
    [0044] 第 9 A図乃至第 9 D 図は本発明で使用する他のプ リ ソ ト基板を調製する逐次工程を断面で略示 したも のである 。
    [0045] 第 1 0 A図乃至第 1 0 H図は基板上に導体ハ。タ ー ン を形成する逐次工程を断面で略示 した も のである
    [0046] 第 1 1 A 図は本発明で使用する プ リ ン ト 基板の一 例を断面で略示 した も の である 。
    [0047] 第 1 1 B 図乃至第 1 1 E 図は第 1 1 A 図に示すプ リ ン ト基板を調製する逐次工程を断面で略示 したも のである 。
    [0048] 発明を実施するための最良の形態
    [0049] 本発明の中空多層プ リ ン ト 配線基板を構成する基 板は少な く と も ひとつの表面基板を除いて耐熱性有 機合成樹脂シ ー ト 又は絶縁処理された金属シ ー ト で でき ている 。 使用される有機合成樹脂には、 例えば. ボ リ イ ミ ド樹脂、 エ キ シ樹脂及び ト リ ァ ジ ン樹脂 が含まれる 。 絶縁処理された金属には、 例えば、 陽 極酸ィ匕されたア ル ミ ニ ウ ム 、 マ グ ネ シ ウ ム 、 チ タ ン 及びタ リ ゥ ムのよ う な陽極酸化した金属、 並びに有 機合成樹脂 も し く は無機絶縁材料を コ ーテ ィ ング し た鉄シー ト 及び非導体材料を ス ハ ° ッ タ ー リ ン ク， した 鉄シー ト ¾ どの よ う な絶縁材料層を付着形成せしめ
    [0050] ΟΜΡΙ
    [0051] WIFO た金属シ ー ト がある 。 最も 好ま しい絶縁処理された 金属は、 金属を陽極酸化 し、 次でこの陽極酸化せる- 金属に絶縁材料層を付着形成せ しめたも のである 。
    [0052] 一般に、 陽極酸化せる絶縁層は均質である 。 しか し ¾が ら、 機械的強度及び絶縁信頼度を高めるために 陽極酸化絶縁層の厚さ を大き く する と、 絶縁層中に ビ ン ホ ー ル が発生し易い。 これとは対照的にヽ 3 — テ ィ ン グ ゃ ス ハ0 ッ タ ー リ ン ク，に依 ] 形成される絶縁 層は所望の厚さにする こ とができ るが均質性に乏 し い。 上述の よ う に陽極酸化と絶縁材料層の付着形成 と を組み合わせて得 られる絶縁処理金属は、 その絶 縁層が比較的均翬であ つて しかも所望の厚さにする ことができ る とい う 点で有利である 。 本発明に係る 中空多層プ リ ン ト 配線板において、 2 又はそれ以上 の導体ハ。タ ー ン間の貫通接続及び積層基板間の層間 接着は低融点金属を用いて達成される 。 この明細書 において使用する 「低融点金属」 と は、 基板が熱に 依 ]) 実質的に悪影響を'受ける温度よ D低い融点を有 する金属をさす。 この よ う な低融点金属には、 例え ば、 金及び鍚の よ う 金属単体並びに錫 -鉛ヽ 力 P ミ ゥ ム 一亜鉛、 錫 铅 - 銀、 鉛 - 銀、 錫 - 亜鉛及び 力 ド ミ ゥ ム - 銀の よ う な合金がある 。
    [0053] 以下、 添附図面について本発明の中空多層プ リ ン ト配線板の代表例及びそれ らの製造方法を説明する
    [0054] ― OMPI . 第 1 A 図乃至第 1 D 図は、 前記第 1 の方法の例を 示すも のであっ て、 耐熱性有機合成樹脂でできたプ- リ ン ト基板にメ グ キされたス ル ー ホ ー ルを形成し、 次いでプ リ ソ ト 基板を積層する方法を示 している 。
    [0055] 第 1 A 図において、 表面基板と してセ ラ ミ ッ ク基 板 1 を使用し、 ボ リ イ ミ ドまだはエ ポ キ シ樹脂の よ う な耐熱性有機合成樹脂でで き た 2 つの中間基板 2 及び 4 はそれ らの間に同様 有機合成樹脂でできた ス ぺーサ 3 を介在せ しめて使用する 。 基板 1 ， 2 及 び 4 は各々少な く と も 1 つの表面に信号導体ハ。タ ー ン 6 を有 し、 少な く と も 1 つ の表面に ラ ン ド導体ハ。
    [0056] ター ン 7 を有する 。 ス ぺーサ 3 はその両面にラ ン ド 導体ハ。タ ー ン 7 を有する 。 基板 2 の下面に形成され た信号導体ハ。 タ ー ン 6 は、 該信号導体ハ。 タ ー ン 6 か ら電気的に隔離され且つこ の信号導体ハ。タ ー ン 6 と 同一'基板面に形成された第 1 の接地導体ハ°タ 一 ン 8 の導体に よ って挟まれている 。 さ らに、 基板 2 の下 面に形成された信号導体ハ。 ターン 6 は、 この信号導 体パタ ー ンか ら電気的に隔離され且つ基板 2 に対向 するス ぺー サ 3 の上面に形成された第 2 の接地導体 ハ。タ ー ン 9 に よ って覆われる よ う に配置される 。 第 2 の接地導体ハ°タ ー ン 9 は基板 2 の対向面に形成さ れた信号.導体ハ。 タ ー ン 6 と第 1 の接地導体ハ。 タ ー ン 8 の導体を覆 う に充分 広さを持 'つ ている 。
    [0057] ΟΜΡΙ 第 I B 図にお て、 基板 1 ， 2 及び 4 な らびにス ぺー サ 3 の各 々 の ラ ン ド導体ハ。 タ ー ン 7 に は ス ル ー ホ ー ル 1 0 が穿設される 。 ス ル ー ホ ー ル 1 0 を穿設 した基板及びス ぺーサは次いで無電解メ ツ キに よ つ てス ル ー ホ ー ルの内壁面を含め各基板ま たはス ぺ ー サの全表面にわた ] 導体層 1 1 を形成する 。 これに よ つて基板及びス ぺーサは電解メ ッ キ処理可能と ¾ る 。 所望な らば、 無電解メ ツ キ導体層 1 1 の上に電 解メ キ導体層 （ 図示せず ） を形成して も よい。
    [0058] 第 1 C 図にお い て、 ラ ン ド導体ハ。 タ ー ン が形成さ れていない部分に常法に よ ]) メ ツ キ レ ジス ト 1 4 を 形成する 。 メ キ レ ジ ス ト 1 4 の厚さは後にメ グ キ すべ き電解メ ツ キ導体層の厚さ よ ] 大き く する 。 次 い で、 第 1 の ス ル ー ホ ー ル導体メ タ キ層 1 2 を ス ル 一ホ ー ル 1 0 の内壁面及びラ ン ド導体ハ。 タ ー ン 7 の 少な く と も 1 部に形成する。 第 1 のス ル ー ホ ー ル導 体メ ツ キ層 1 2 は、 各基板及びス ぺーサを積層 して 中空多層プ リ ン ト 配線板 と した時、 信号導体ハ。 タ ー ン間の導通作用を ¾すと共に積層された基板及びス ぺーサのま柱 と して作用する。 その後、 メ ツ キレ ジ ス ト 1 4 を維持 したま ま第 1 の ス ル ー ホ ー ル導体メ ツ キ層 1 2 の上に低融点金属か らな る第 2 のス ル ー ホ ー ル メ ク キ層 1 3 を形成する 。 この第 2 のス ル ー ホ ー ル メ グ キ層 1 3 は、 各基板及び ぺ ーサを積層 した時に、 信号導体ハ。タ ー ン間の導通、 積層された 基板及びス ぺーサの支柱及び層間接着の各作用を ¾ · す。 第 2 のス ル ー ホ ー ル メ ツ キ層 1 3 はま たメ ツ キ レ 'クス ト 1 4 を除去 した後に各基板及びス ぺーサを エ ッ チ ン グ処理する際レ ジ ス ト と して作用する 。 第
    [0059] 2 のス ル ーホー ルメ ツ キ層 1 3 は次の積層工程にお いて熱と 圧力を適用する際第 2 のス ル ー ホ ー ルメ サ キ層 1 3 が流出 しない程度の厚さ とする こ とが ¾ま しい。 通常、 第 2 の メ ツ キ層 1 3 の厚さは約 5 乃至
    [0060] 1 0 ミ ク ロ ン とする こ とができ る 。
    [0061] 第 1 D 図において、 メ ツ キ レ ジ ス ト 1 4 ( 第 1 C 図に示す ） を除去 し、 次いで、 フ ラ ッ シ ュ ェ グ チ ン グを施すこ と に よ って無電解メ .ツ キ層 1 1 ( 第 1 C 図に示す ） の第 1 および第 2 のス ル ー ホ ー ルメ タ キ 層 1 2 および 1 3 で覆われていない部分を除去する 各基板およびス ぺ ，サに予め設け られた位置合わせ 基準孔 （ 図示せず ） を利用 して基板 1 ， 2 および 4 な らびにス ぺーサを正確に位置合わせ重合し、 次い で、 熱および圧力を S用 して一体に接着する 。 こ こ で適用される熱は第 2 のス ル ー ホ ー ルメ ツ キ層 1 3 を溶融するに十分な量とすべき である 。
    [0062] 所望な らぱ、 積層 した基板およびス ぺ ーサの周側 部に有機合成樹脂ま たは金属製の側壁 1 6 を設ける こ と に よ って積層 した基板およびスぺーサの層間ス
    [0063] OMPI WIPO ペーサを閉 じる 5» 中空多層プ リ ン ト 板の冷却性能を 向上するために、 閉 じ られた各ス ペ ー ス に冷却媒体- と して作用する絶縁性液体またはガ スを満た して も よ い。 閉 じ られたス ペ ー ス に封入する液体の誘電率 を適当に選択すれば、 冷却作用のみ らず多層プ リ ン ト板全体と しての誘電率を任意に設定する こ とが でき る 。
    [0064] 第 2 A乃至 2 G 図は絶縁処理された金属か ら中空 多層プ リ ソ ト 配線板を製造する逐次工程を示すも の であ って、 最初に、 例えば ド リ ル加工、 レーザー加 ェま たは化学的ェ グ チ ン グに よ って金属シ ー ト 1 7 にス ルー ホ ー ル 1 8 を穿設する （ 第 2 A 図 ） 。 シ ー ト 1 7 はア ル ミ ニ ウ ム 、 マ グ ネ シ ウ ム 、 チ タ ンまた はタ リ ゥ ムの よ う ¾陽極酸化され易い全属ででき て いる 。
    [0065] 第 2 に、 ス ル ー ホ ー ル 1 8 .の内壁面を含め穿孔金 属シー ト 1 7 の全表面を陽極酸化して、 導体 タ ー ン の支持基板 と して作用する絶縁被膜層 1 9 を形成 する （ 第 2- B 図、 上段 ） 。 ¾ お、 絶縁被膜層は、 例 えば、 金属シー ト を有機合成樹脂材または無機絶籙 材でコ 一テ ィ ン ク，するか金属シ ー ト をス ハ0 ッ タ リ ソ グする絶緣材料付着形成方法に よ つて形成する こ と も で き る 。 最良の絶縁処理金属シ ー ト は、 最初に金 属 シ ー ト を陽極酸化して陽極酸化被膜層 1 9 を形成
    [0066] OMPI し、 次いでその上に絶縁材料層 2 P を付着形成 して 得 られる （ 第 2 B 図、 下段 ） 。
    [0067] 第 3 に、 ス ル ー ホ ー ル 1 8 の内壁面を含め絶縁処 理金属シ ー ト の全表面に導体層 2 1 を形成する （ 第 2 C 図 ） 。 導体層 2 1 の形成は常法、 例えば、 無電 解メ ツ キ、 印刷、 イ オ ン プ レ ー テ ィ ン グ よび蒸着 ¾ どによ 1 行う こ とができ る 。 所望 ¾ らば、 導体層 2 1 を形成したシー ト を電解メ ツ キ して導体層 2 1 の膜厚の積み上げを行って も よ い。
    [0068] 第 4 に、 シー ト に感光性樹脂又は無機材料層を ラ ミ ネー ト し、 ハ。ター ン露光およ び現像を行って、 導 体ハ oター ンを形成すべき領域以外の部分を 力パーす る レ ジス ト ハ。 タ ー ン 2 2 を形成する （ 第 2 D 図 ） 。
    [0069] 第 5 に、 ス ル ーホ ー ル の内壁面を含め レ ジ ス ト が 存在 しない領域に電解メ ツ キ又は印刷に よ っ て導体 層 2 3 を形成する （ 第 2 E 図 ） 。 所望な らば、 導体 層を形成したシ ー ト の両面に平滑処理を行う 。 次い で、 導体層 2 3 の上に電解メ ツ キ、 印刷又は蒸着な どに よ ] 低融点金属 （ 図示せず ） を付着させる 。
    [0070] 第 6 に、 レ ジ ス ト 2 2 ( 第 2 E 図に図示 ） を除去 し、 次いでフ ラ グ シ ュ エ ッ チ ン ク、によ っ て導体層 2 1 ( 第 2 E 図に図示 ） の露出部分を除去 してプ リ ン ト基板.2 7 を得る （ 第 2 F 図 ） 。 なお、 上記第 5 の工程において導体ペー ス ト を印刷する こ と に よ ]
    [0071] ΟΜΡΙ - 導体層 2 3 を形成 した場合は、 印刷された導体ぺ ー ス ト を乾燥 し、 次いで レ ジ ス ト 2 2 および導体層
    [0072] 2 1 の一部を上述の よ う に除去 し、 最後に乾燥 した 印刷導体ペー ス ト を焼結温度に加熱 して金属化した 導体層 2 3 を得る 。
    [0073] 最後に、 複数のプ リ ン ト基板 2 7 と 1 も し く は 2 以上のス ぺーサ 2 8 と をス ぺ ーサ 2 8 が各 2 枚のプ リ ン ト基板 2 7 の間に介在する よ う に積み重ね 。
    [0074] 積み重ねた基板およびス ぺ ー サに熱と圧力又は レザ 一を適用 して低融点金属層を融解する こ とに よ ！）接 着 し、 中空多層プ リ ン ト 配線板を得る 。 スぺ一サ
    [0075] 2 8 は基板 2 7 の調製について説明 したの と同様な 手法に よ 調製する こ とができ る 。 所望 な らば、'積 層 した基板の層間スペー スは、 中空多層プ リ ン ト 配 線板の周側に側壁 3 0 を設ける こ と に よ ] 密閉する こ とができ る 。 更に側壁 3 0 に穿孔 して層間スぺー ス に適当な絶縁性ガス又は液体を注入する こ とがで さ る c
    [0076] 第 3 A 図な し第 3 B 図は前に述べた第 2 の方法、 すなわち、 メ ツ キされたス ル ーホー ルを持たないプ リ ン ト基板を積層 し 、 次いで積層 した基板にメ キ されたス ル ーホ ー ルを形成する方法を例示 している。 第 3 A 図ない し第 3 B 図においては、 それぞれ両面 に導体フ ォ イ ルを張設 した基板か ら調製された 3 つ
    [0077] OMPI の基板 3 1 , '3 2 およ び 3 3 が用い られる。 3 つの 基板はそれぞれ少 く と も 1 つの表面に導体ハ。タ ー ン . を有する 。 すなわち、 第 3 A図に示すよ う に 2 つの 表面基板 3 1 およ び 3 2 のそれぞれはその一面に導 体フ オ イ ル 3 5 を有 し、 他面にラ ン ド導体ハ。タ ー ン 3 6 および信号導体ハ。タ ー ン 3 7 を有 している 。 中 間基板 3 3 は両面に ラ ン ド導体ハ。タ ー ン 3 6 および 信号導体ハ。タ ー ン 3 7 を有 している 。 比較的高い融 点を有する合金か らなる メ キ層 3 8 をすベての ラ ン ド導体ハ。タ ー ン 3 6 上に形成する 。 3 つの基板
    [0078] 3 1 ， 3 2 および 3 3 を第 3 A図に示すよ う に積み 重ね、 次いで合金メ ツ キ層 3 8 を溶融するに充分な 熱および圧力を適用 して融着一体化する 。 その後、 積層 した ラ ン ド導体部分 3 6 にス ル ー ホ ー ル 3 9 を 穿設する （ 第 3 B 図 ） 。 次いで、 接着一体化せる基 板にハ0 ネ ルメ タ キを施 してス ル ー ホ ー ル 3 9 内壁面 に導体 4 0 を析出させ、 その後、 上記合金メ ッ キ層 3 8 よ ]) も低い融点を有する合金を メ ツ キする 。 次 に、 基板 3 1 および 3 2 の表齒の導体フ ォ イ ル 3 5 をエ ッ チ ン グ処理 して表面信号導体ハ。タ ー ン 4 1 を 形成する 。 それに よ つ て閉 じ られた中空多層プ リ ン ト配線板が得られる （ 第 3 C 図 ） 。
    [0079] 本発明の中空多層プ リ ン ト配線板の耐熱性を考慮 する と、 多層プ リ ン ト配線板の表面に位置する基板 の少な く と も一方は、 第 1 A図、 第 3 A 図及第 4 A 図 （ 後述する ：) に示すよ う にセ ラ ミ ッ ク又は絶縁処. 理された金属の よ う ¾無機耐熱材料で構成する こ と が望ま しい。 この よ う な構成は特に部品の実装時に 部品を直接多層 : ° リ ン ト 配線板に結合するには有利 である 。
    [0080] 尚、 本発明の多層プ リ ン ト配線板を構成する基板 の少な く と も—つは非中空多層プ リ ン ト 配線板とす る こ とができ る 。 一つの基板と して非中空多層プ リ ン ト配線を用いた多層プ リ ン ト 配線板の一例を第
    [0081] 4 C 図 に示す。 第 4 C 図において、 中空多層プ リ ン ト配線板は耐熱性有機樹脂材料でで きた非中空多 層 ° リ ン ト 配線板 6 8 か らなる基板と セ ラ ミ ッ ク -か ら ¾る表面基板 6 9 と を有 してお！）、 これら 2 つの 基板は所定のス ペ ー スをおいて積層され、 低融点金 属層 7 5 及びス ル ーホ ー ル の内壁面に形成された ス ル ー ホ ー ル メ ツ キ層 7 6 に よ って結合されている 。
    [0082] 第 4 C 図に示す中空多層プ リ ン ト 配線板は第 4 A 図乃至第 4 C 図に示す逐次工程に よ って製造される ( すなわち、 上面に導体ホ ィ ル 6 7 が張設され、 下 面に ラ ン ド導体ハ。 タ ー ン 7 1 、 信号導体ハ。 タ ー ン 7 0 及び第 1 の接地導体ハ。 タ ー ン 7 2 が形成された セ ラ ミ グ .ク基板を調製する ( 第 4 A 図 ） 。 上面にラ ン ド導体ハ0 タ ー ン 7 1 及び第 2 の接地導体ハ。 タ ー ン 7- 2'が形成され、 下面に導体ホ イ ル 6 7 が張設され た非中空多層プ リ ン ト配線板 6 8 を調製する （ 第 . 4 A 図 ） 。 セ ラ ミ ッ ク基板 6 9 及び多層プ リ ン ト配 線板 6 8 は共にそれ らのラ ン ド導体ハ。タ ー ン部分に ス ル ーホー ル 7 3 が穿設されて る 。 基板 6 9 の下 面に形成された信号導体ハ。タ ー ン 7 0 はこの信号導 体 タ ー ン 7 0 から電気的に隔離されかつ同一面上 に形成された第- 1 の接地導体ハ。 タ ー ン 7 2 の導体に よ ってはさ まれてお ])、 又、 多層プ リ ン ト 配線板
    [0083] 6 8 の上面には第 2 の接地導体ハ。タ ー ン 7 2'が上記 信号導体ハ。ター ン 7 0 を覆 う よ う に形成されている。
    [0084] 第 4 B 図に い て、 セ ラ ミ ッ ク基板 6 9 と多層プ リ ン ト配線板 6 8 の対向面にはそれぞれのラ ン ド導- 体パタ ー ン 7 1 と終縁端部に低融点金属 7 5 をメ ッ キ し、 ついで熱及び圧力を適用 してセ ラ ミ ッ ク基板
    [0085] 6 9 と多層プ リ ン ト 配線板 6 8 を接着する 。
    [0086] 第 4 C 図において、 積層 したセ ラ ミ ッ ク基板 6 9 と多層プ リ ン ト配線板 6 8 のス ル ーホ ー ル 7 3 の内 壁面とス ル ー ホ ール 7 3 の上下両端部分に導体をメ ツ キ してス ル ーホ ー ルメ ツ キ導体層 7 6 を形成する と共に、 セ ラ ミ グ ク基板 6 9 の上面及び多層プ リ ン ト配線板 6 8 の下面に表面信号導体ハ。タ ー ン 7 7 を 形成する 。 積層 した基板の周側壁を形成する低融点 金属層 7 5 は、 上記ス ル ー ホ ー ル メ グ キ層 7 6 の形
    [0087] O PI 成工程において使用する電解液及び上記表面信号導 体ハ。タ ー ン 7 7 の形成工程において使用するェ ッ チ- ン ク，液が基板間の ス ペース に侵入する のを阻止する 遮断壁 と して作用す o
    [0088] ク ロ ス ト ーク現象の発生を抑制し、 中空多層プ リ ン ト配線板の見掛けの誘電率を下げ、 さ らにその ィ ン ヒ。 一 ダ ン スを向上させるため、 本発明の中空多層 プ リ ン ト 配線板は次の 2 つの構造の う ちいづれかの 構造を と らせる こ とがで き る 。
    [0089] 第 1 の構造は、 第 1 A 図及び第 4 A 図についてす でに説明 した よ う に、 各基板の表面に形成された信 号導体ハ。タ ー ンがこ の信号導体 タタ ーン とは電気的 に隔離されかっこの信号導体 タ ー ン と同一基板内 に形成された第 1 の接地導体ハ° タ ー ン の導体に よ つ てはさまれてお ]) 、 さ らに、 上記信号導体ハ。タ ー ン は、 この信号導体ハ。タ 一ンとは電気的に陽離されか つこ の信号導体ハ°タ ー ン が形成された基板に隣接す る基板又はス ぺーサの対向面上に形成された第 2 の 接地導体ハ°タ ー ン に よ って覆われた構造である 。 上 記第 2 の接地導体ハ° タ ー ン は信号導体ハ° タ ー ン と第
    [0090] 1 の接地導体ハ°タ 一ン の導体を覆 う に十分な広さを 持っている 。 尚、 第 1 A 図乃至第 1 D 図においては 基板 2 の.下面に形成された 1 部の信号導体ハ。タ ー ン 6 についてのみ上述の第 1 の構造が示されているが、
    [0091] OMPI W 基板 2 の同一面上の信号導体ハ°タ ー ン の他の部分及 び他の基板に形成された信号導体ハ°タ 一 ンについても 同様な構造とする こ とができる 。
    [0092] 第 2 の構造は、 各基板の少な く と も一つの表面に 形成された信号導体ハ°タ ー ンがこの信号導体ハ。タ ー ンと は電気的にカ ク離されかっこの信号導体ハ。ター ン と 同一基板面に形成された接地導体 タ 一，ンによ つて覆われている構造である 。 第 2 の構造の一例を 第 1 1 A図に示す。 第 1 1 A図において、 基板 6 1 に形成された信号導体ハ°タ ー ン 6 2 は同一基板 6 1 に形成された接地導体ハ。タ ー ン 6 4 で覆われている。 信号導体ハ。タ ー ン 6 2 は接地導体パタ ー ン 6 4 か ら 電気的に カ ク離されて る、 すなわち、 信号導体パ タ ー ン 6 2 と接地導体 タ ーン 6 4 の間にはエ ア ー ス ペー ス 6 6 カ 存在する 。
    [0093] 第 1 1 A 図に示す構造体は第 1 1 B 図乃至第 11 E 図に示す逐次工程に よ っ て製作される 。 一面に信号 導体ハ。タ ー ン 6 2及び接地導体ハ。タ ー ン 6 2'が形成 された基板 6 1 を常用されるハ。タ ー ニ ング法に よ ] 調製する （ 第 1 1 B 図 ） 。 ス ク リ ー ン印刷又は他の 常用される コ ーテ ィ ン グま たは ラ ミ ネ ー ト技法に よ
    [0094] ]3 、 適当 ¾溶剤に可溶性のレ ジ ス ト 6 3 を信号導体 ハ。タ ーン.6 2 に形成する （ 第 1 1 C 図 ） 。 接地導体 ハ0 タ ー ン 6 2,にはレ ジス ト 6 3 を コ ー テ ィ ン グ しる
    [0095] OMPI い 。 つ い で レ ジ ス ト 6 3 で コ ー テ ィ ン グされた領 域を含め基板 6 1 の全表面に接地導体ハ°タ ー ン 6 4 . を形成する （ 第 1 1 D 図 ） 。 この接地導体パタ ー ン 6 4 の形成は常用される メ ツ キ技法に よ D行なえば 良い。 その後、 接地導体ハ。タ ー ン 6 4 を フ ォ ー ト ェ ツ チ ン グに よ ] j処理 して、 レ ヅ ス ト 6 3 を除去する ための孔 6 5 を形成する （ 第 1 1 E 図 ） 。 ついでレ ジ ス ト 6 3 を適当な溶剤に溶解し孔 6 5 を通 じて除 まする こ と に よ って第 1 1 A図に示す構造を有する 基板を得る 。 の基板はそのま ま使用 して も良 く 、 あ るいは、 接地導体ハ°タ ー ン 6 4 と信号導体 タ 一 ン 6 2 と の間のス ペ ー ス 6 6 ( 第 1 1 A 図に示チ ） に ィ ン ど ー ダ ンス整合のため適当な誘電率その他の 電気特性を有 し化学的に安定な絶縁油を満たして使 用する こ と も でき る 。
    [0096] 本発明の中空多層プ リ ン ト 配線板を前に述べた第 2 の方法に依 ])製造する のに使用する印刷基板、 即 ち、 第 3 A 図に示すよ う に、 少な く と も 1 方の表面 に信号導体ハ。タ ー ンを有 し、 少な く と も 1 方の表面 に ラ ン ド導体ハ。タ ー ン を有 し、 さ らに上記導体ハ°タ ー ン上に低融点金属の層を有するがメ キされたス ル ーホー ルを持たない基板は次の 4 つの 7° 口 セ ス の いずれかに よ 1)製造する こ とができ る 。
    [0097] 第 1 のプ ロ セ スは次の工程（'|)乃至 （jV) を含む ：
    [0098] O PI 0 (i) その両面に導体ホ イ ルが形成された基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネ ー ト ま たはコ ー テ ィ ン グ し、 こ の レ. ジス ト をハ。タ ー ン化 してレ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成 し'
    [0099] (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板に低融点金属をメ ッ キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及びラ ン ド導体ハ° タ ー ン を形成すべき領域に低融点金属メ ツ キ層を形成し、
    [0100] (iii) " 基板か ら レ ジ ス ト を除去 し、 次いで、
    [0101] (3v) 基板をエ ッ チ ン グ して上記導体ホ イ ル の露出 部分を除去する。
    [0102] 第 2 のプ ロ セ スは上記第 l プ ロ セ ス と同様であ るが、 第 1 のプ ロ セ ス の工程（j)で得 られたレ ジ ス ト を形成せる基板を工程（ii)に付すに先立っ て、 導体で メ ツ キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及びラ ン ド導体ハ°タ ーンを形成すべき 領域に導体'メ タ キ層を形成する 。
    [0103] 第 3 のプロ セ スは次の工程（j)乃至 （iv) を含む ：
    [0104] (I) その両面に導体ホ イ ル が形成された基板にレ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト ま たは コ ーテ ィ ング し、 このレ ヅ ス ト をハ0 タ ー ン ィ匕して レ ジ ス ト ハ。 タ ー ンを形成し- (jj) レ ジ ス ト を形成せる基板をエ ッ チ ン グ して上 記導体ホ イ ル 露出部分を除去 し、
    [0105] • (iiD 基板か ら レ ジ ス ト を除去 し、 次いで、
    [0106] (iv) 少な く と もその，よ う に形成されたラ ン ド導体 ハ°タ ー ン .上に低融点金属の層を形成する 。
    [0107] 第 4 のプ ロ セスは次の工程（j)乃至 Mを'含む ：
    [0108] Ο ΡΙ (I) 'その両面に導体ホ イ ルが形成された基板に レ ジス ト を ラ ミ ネ ー ト ま たは コ ー テ ィ ン グ し、 該 レ 'ク ス ト をハ0 タ ー ン ィ匕してレ ジ ス ト ハ。 タ ー ンを形成 しヽ
    [0109] ⑤ レ ジ ス ト を形成せる基板を電解メ ツ キ して信 号導体ハ0 タ ー ン及びラ ン ド導体ハ。 タ ー ンを形成すベ き領域に電解メ グ キ導体層を形成 し、
    [0110] OiD 基板か らレ ジス ト を除去 し、
    [0111] v) 基板をエ ッ チ ン グ して上記導体ホ イ ルの露出 部分を除去 し、 次いで、
    [0112] (V) 少な く と もその よ う に形成されたラ ン ド導体 ハ°タ ー ン上に低融点金属の層を形成する 。
    [0113] 本発明の中空多層プ リ ン ト配線板を前に述べた第 1 のプロ セ スに よ つて製造するのに使用する印刷基 板、 即ち、 少な く と も 1 つの表面に信号導体パタ ー ンを有 し、 少な く と も 1 つの表面に ラ ン ド導体 タ タ ー ン を有 し、 さ ら に こ の ラ ン ド導体ハ。 タ ー ンに メ ッ キされたス ル ーホー ルを有 し、 このメ ツ キされた ス ル ーホ ー ルを規定するそれぞれのメ ツ キ層の少な く と も 上下両端表面に低融点金属の層が形成された基 板は次のプ ロ セス のいずれかに よ つ て調製する こ と がで き る 。
    [0114] 第 1 の ： 7°口 セ ス は次の工程（j)乃至 （vii) を含む ： ( !) ス ル ーホ ー ルが穿設された基板を調製し、 (|]) 該基板に無電解メ ツ キを施して、 ス ル ー ホ ー ルの内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導体層 を形成し、
    [0115] (iiD 無電解メ ク キ した基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネ一 ト しヽ レ ジス ト をハ。タ ー ンィ匕してレ ヅ ス トハ0タ ー ン を形成 し、
    [0116] Ov) レ ジ ス ト を形成 した基板を電解メ キ して、 信号導体ハ。 タ ー ン及びラ ン ド導体ハ。タ ー ン を形成す べ き領域及び各ス ル ー ホ ー ルの内壁面に電解メ グ キ 導体層を形成 し、
    [0117] (V) 電解メ グ キ導体層を形成 した基板に低融点金 属を メ キ して、 少な く と も各ス ル ーホ ー ルの上下 ラ ン ド部分に形成された電解メ グ キ導体層に低融点 金属の層を形成し、
    [0118] (VD 基板か ら上記レ 'クス ト を除去し、 次いで、
    [0119] (viD 基板をエ ッ チ ン グ し て、 上記無電解メ キ導 体層の露出部分を除去する。
    [0120] 上記第 1 のプ ロ セ ス の 1 例は第 2 A図乃至第 2 F 図につ'いて説明 した通 ] である 。 上記'第 1 のプ ロ セ ス の工程（j)乃至 （ViD は第 2 A図乃至第 2 F 図と次の よ う に対応 している 。
    [0121] 工程（i) 第 2 A 図及び第 2 B 図、
    [0122] ェ程（ii) 第 2 C 図、
    [0123] 工程 （ji 第 2 D 図、
    [0124] ェ程 （I'V) 及び (V) ： 第 2 E 図、 並びに
    [0125] O PI ェ程 （vi) 及び （vii) ： 第 2 ' F 図。
    [0126] 第 2 のプロ セ ス は上記第 1 の プ ロ セ ス と同様であ- るが、 低融点金属層の形成工程 (V)を最終エ ッ チ ン グ ェ程 （vi'D の後に行う 。 即ち、 第 2 のプロ セ ス は次の 工程（i)乃至 （vii) を含む ：
    [0127] (i) ス ルー ホ ー ルを穿設 してな る基板を調製し、
    [0128] (H) 該基板に無電解メ ツ キを施して、 ス ル ー ホ ー ルの内壁面を含む基板全表面に無電解メ キ導体層 を形成し、
    [0129] (i'lD 無電解メ タ キせ る基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネ一 ト し、 こ の レ ヅス ト をハ0タ ー ン ィ匕 して レ -クス ト ハ0 タ 一ンを形成し、 .
    [0130] ν) こ の レ ジ ス ト を形成した基板を電解メ ツ キ し て、 信号導体ノタ タ ー ン及びラ ン ド導体ハ。 ター ンを形 成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    [0131] (V) こ の電解メ グ キせる基板か ら レ ジス ト を除去 し、
    [0132] (vD こ の基板を ェ グ チ ンク， して、 上記無電解メ ッ キ導体層の露出部分を除去 し、 次いで、
    [0133] (vii) 少な く と も 各ス ル ーホ ー ル の上下両ラ ン ド部 分に低融点金属の層を形成する 。
    [0134] 第 3 のプ ロ セス は次の工程（j)乃至 （viD を含む ：
    [0135] (j) 少 く と も 1 つの表面に信号導体ハ。 タ ー ンを
    [0136] OMPI 有 し、 少な く と も 1 つの表面に ラ ン ド導体ハ°タ ー ン を有する基板の該ラ ン ド導体 タ ー ン に ス ル一 ホ ー- ルを穿設 し、
    [0137] (ij) 該基板に無電解メ ツ キを施 して、 上記ス ル ー ホ ー ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ グ キ導 体層を形成 し、
    [0138] (iii) 無電解メ ツ キせる基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 このレ ジス ト をハ0タ ーシィヒしてレ ジス ト ハ0タ 一ンを形成し、
    [0139] (JV) このレ ジス ト を形成せる基板を電解メ グ キ し て、 各ス ル ー ホ ー ル の内壁面及び上下両 ラ ン ド部分 に電解メ グ キ導体層を形成 し、
    [0140] M 電解メ ツ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属を メ ツ キ して、 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下 両ラ ン ド部分に形成された電解メ ツ キ導体層上に低 融点金属の層を形成し、
    [0141] (vD 基板か ら レ ジス ト を除去 し、 次いで、
    [0142] (vii) 基板を ェ グ チ ング して、 上記無電解メ 'ク キ 導 体層の露出部分を除去する 。
    [0143] 上記第 3 の プ ロ セ ス の 1例は第 1 A 図乃至第 1 C 図について説明 した通 ]) である 。 上記第 3 のプ ロ セ ス の工程 Π)乃至 （vii) は第 1 A 図乃至第 1 C 図と次の よ う に対応 している 。
    [0144] 工程（j)及び (ϋ) ： 第 1 A図及び第 I B 図、
    [0145] OMPI 工程 （iii) , (iv) 及び (v) ： 第 i c 図、 並びに、 ェ程 （vi) 及び (vii) ： 図示せず。
    [0146] 第 4 の プ ロ セ スは上記第 3 の プ ロ セ ス と 同様であ るが、 低融点金属層の形成工程 (V)を最終エ ッ チ ン グ 工程 （viD の後に行う 。 即ち、 第 4 の ： °口 セ ス は次の 工程 ω乃至 （viD を含む ：
    [0147] (i) 少な く と も 1 つの表面に信号導体ハ0タ ー ンを 有 し、 少な く と も 1 つの表面に ラ ン ド導体ハ。タ ー ン を有する基板の該 ラ ン ド導体ハ。タ ー ン に ス ル一ホ一 ルを穿設し、
    [0148] (ii) 該基板に無電解 メ ツ キを施 して、 上記ス ル ー ホ ー ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導 体層を形成 し、
    [0149] Gii) との無電解メ ッ キせる基板にレ ジ ス -ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジ ス ト をハ0タ ー ン化して レ ジス ト ハ0タ ー ン を形成 し、
    [0150] (iv) こ の レ ジ ス ト を形成せる基板を電解メ キ し て各ス ル ー ホ ー ル の内壁面及び上下両 ラ ン ド部分に 電解メ グ キ導体層を形成し、
    [0151] (V) 電解メ ツ キせる基板から レ ジス ト を除去 し、
    [0152] (v 基板をエ ッ チ ン グ し て、 上記無電解メ y キ導 体層の S出部分を除去 し、 次いで、
    [0153] (yiD 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下兩ラ ン ド部 分に低融点金属の層を形成する。
    [0154] OMPI 第 5 のプ ロ セスは次の（i)乃至 （vi) を含んでなる ：
    [0155] (D 両面に導体ホ イ ルを張設 してなる基板に レ ジ- ス ト を ラ ミ ネー ト し、 この レ ジ ス ト をハ0ター ンィ匕 し て レ ジ ス ト ハ0 タ ー ンを形成し、
    [0156] (jj) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ルー ホ ー ルを穿 設し、 ·
    [0157] GID 基板を電解メ グ キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及 びラ ソ ド導体ノ タ 一 ン を形成すべき領域及び各ス ル 一 ホ ー ル の内壁面に電解メ タ キ導体層を形成し、
    [0158] (JV) 電解メ ツ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属を メ グ キ して少な く と も各ス ルー ホ ー ル の上下両 ラ ン ド部分に形成せる電解メ グ キ導体層上に低融点 金属の層を形成し、
    [0159] {h 基板から レ ジス ト を除去し、 次いで、
    [0160] (vD 基板を ェ グ チ ン グ して上記導体ホ イ ルの露出 部分を除去する 。
    [0161] 上記第 5 の プ ロ セ ス の 1 例を第 5 A図乃至第 5 F 図に示す。 第 5 A図乃至第 5 F 図において、 両面に 導体ホ イ ル 1 0 0 a を張設せる耐熱性有機合成樹脂 基板 1 0 0 を調製する 。 （ 第 5 A図 ） 。 基板 1 0 0 に レ ジ ス ト 1 0 1 を印刷 して、 信号導体ハ。タ ー ン が 形成されるべき部分 1 0 2 な らびに ラ ン ド及びス ル 一 ホ ー ルが形成されるべき部分 1 0 3 に於いてそれ ぞれ導体ホ イ ル 1 0 0 a が露出 している レ ジス ト ノ
    [0162] OMPI タ ー ン を形成する （ 第 5 B 図 ） 。 ス ル ー ホ ー ル 104 を形成する （ 第 5 C 図 ） 。 基板に電解メ タ キを施し.
    [0163] て導体層 1 0 5 を形成する （ 第 5 D 図 ） 。 電解メ ッ キせる基板に低融点金属を メ グ キ して電解メ グ キ導 体層 1 0 5 上に低融点金属の層 1 0 6 を形成する
    [0164] ( 第 5 D 図 ） 。 レ ジ ス ト 1 0 1 を除去する （ 第 5 E 図 ） 。 次いで、 基板に フ ラ グ シ ュ エ ッ チ ン グを施し
    [0165] て信号導体ハ0 タ ー ン 1 0 7'及びス ル ー ホ ー ル メ グ キ 層 1 0 7 を有する プリ ン ト 基板 P 1 を得る （ 第 5 F 図 ） 。 第 5 D 図に示す電解メ ツ キ工程において、 導 体 1 0 5 はス ルー ホ ー ル 1 0 4 の内壁面 1 0 0 a に 直接付着 しないが、 上下両導体ホ イ ル 1 0 0 a の ス ル ー ホ ー ル 1 0 4 を取 ] 巻 く 部分に導体 1 0' 5 が付 着し、 これが成長 して第 5 D 図に示すよ う に全内壁 面 1 0 4 a を 力パーするに至る 。
    [0166] 第 6 の：° ロ セ スは、 低融点金属層を形成する工程
    [0167] (iv) を最終エ ッ チ ン グ工程 （vi) の後に行う 点を除け ぱ上記第 5 のプ ロ セ ス と同様である 。 即ち、 第 6 の
    [0168] プ ロ セ スは次の工程（i)乃至 （vi) を含んでなる ：
    [0169] (j) 両面に導体ホ イ ル 張設 してな る基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 この レ 'ク ス ト をハ0ター ンィ匕し
    [0170] て レ ジ ス ト ハ0 タ ー ンを形成 し、
    [0171] (ii) レ ジス ト を形成せる基板にス ル ーホ ー ルを穿 設 し、
    [0172] REACT OMPI WIPO (ii'D 基板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ°タ ー ン及 びラ ン ド導体ハ。タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル. 一ホ ー ル の内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成し、 dv) 電解メ グ キせる基板か ら レ ジス ト を除去し、
    [0173] (V) 基板を ェ グ チ ン グ して上記導体ホ イ ル の露出 部分を除去 し、 次いで、
    [0174] (vD 各ス ル ー ホ ー ル の少る く と も上下両ラ ン ド部 分に低融点金属の層を形成する 。
    [0175] 第 7 のプ ロ セ スは次の工程（j)乃至 （νί) を含んで る ：
    [0176] ( 両面に導体ホ イ ルを張設せる基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 この レ 'クス ト をハ。タ ー ンィ匕してレ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成し、
    [0177] (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、
    [0178] aiD 基板を電解メ ツ キ して信号ハ。タ ー ンを形成す べき領域および各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に電解メ ッ キ導体層を形成し、
    [0179] dv) 電解メ グ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属を メ ツ キ して、 各ス ル ー ホ ー ル の少 く と も 上下 両端部分に形成された電解メ グ キ導体層上に低融点 金属の層を形成し、
    [0180] (V) 基板か ら レ ジ ス ト を除去 し、 次いで、
    [0181] (vD 基板をエ ッ チ ン グ して上記導体ホ イ ル の露出 部分を除去する 。
    [0182] 上記第 7 のプロ セ ス の 1 例を第 6 A 図乃至 6 F 図. に示す。 第 6 A 図乃至第 6 F 図に於いて、 両面に導 体ホ イ ル 1 0 0 a を張設せる基板 1 0 0 を調製する ( 第 6 A 図 ） 。 基板 1 0 0 にレ ジ ス ト 1 0 1 を印刷 して、 導体ホ イ ル 1 0 0 a が信号導体ハ。タ ー ンを形 成すべき部分 1 0 2 に於いてのみ露出する レ 'ク ス ト タ ー ン を形成する ( 第 6 B 図 ） 。 基板に電解メ グ キを施して電解メ ッ キ導体層 1 0 5 を形成する （ 第 6 D 図 ） 。 電解メ ッ キせる基板に低融点金属を メ ッ キ して電解メ キ導体層 1 0 5 上に低融点金属の層 1 0 6 を形成する （ 第 6 D 図 ） 。 レ ジ ス ト 1 0 1 を 除去する （ 第 6 E 図 ) o 最後に基板をエ ッ チ ン グ し て信号導体 タ ー ン 1 0 及びラ ン ド レ ス ス ル ー ホ — ル メ グ キ層 1 0 8 を有するプ リ ン ト基板 P 2 を得 る （ 第 6 F 図 ） 。 プ リ ン ト 基板 P 2 は各ス ル ーホー ル メ タ キ層のまわ ] に ラ ソ ドを持たない。 上記電解 メ グ キ工程において、 導体 1 0 5 は導体ホ イ ル 100 a の ス ル ー ホ ー ル に露出する部分に付着 し、 これが成 長 してス ル ー ホ ー ルの全内壁面を覆 う に至る （ 第
    [0183] 6 D 図 ） 。
    [0184] 第 8 のプ ロ セ スは低融点金属を形成する工程 を最終ェ .グ チ ン グェ程 （vD の後に行 う 点を除けば上 記第 7 のプ ロ セ ス と同様である 。 即ち、 第 8 のプロ セ スは次の工程（i)乃至 （vi) を含んでなる ：
    [0185] (I) 両面に導体ホ イ ルを張設せる基板に レ ジス ト . を ラ ミ ネー ト し、 この レ ジ ス ト をハ。タ ー ン ィ匕してレ ジ ス ト ハ。 タ ー ンを形成 し、
    [0186] (ji) レ 'クス ト を形成せる基板にス ル ーホー ルを穿 設 し、
    [0187] aiD 基板を電解 メ グ キ して信号ハ。タ ー ンを形成す べき領域および各ス ル ー ホ ー ル の内麈面に電解メ グ キ導体層を形成し、
    [0188] v) 電解メ ツ キせる基板か ら レ ヅ ス ト を除去 し、
    [0189] M 基板をエ タ チ ン グ して上記導体ホ イ ル の露出 部分を除去 し、 いで、
    [0190] (vD 各ス ル ーホ ー ルの少な く と も上下両端部分に 低融点金属の層を形成する 。
    [0191] 第 9 のプロ セ ス は次の工程（i)乃至 （νΓι) を含んでな る ：
    [0192] (j) 両面に導体ホ イ ルを張設せる基板に、 無電解 メ ツ キに よ っ て導体が付着し得る第 1 の レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 さ らに無電解メ ツ キに よ って導体が 付着 しな い第 2 の レ ジ ス ト を ラ ミ ネ ー ト し て、 レ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成 し、
    [0193] (ί!) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設 し、
    [0194] (iii) 基板に無電解メ ツ キを施 して、 信号導体 °タ
    [0195] OMPI ー ンを形成すべき 領域及び各ス ル ー ホ ー ルの内壁面 に無電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    [0196] Ov) 基板に電解メ ツ キを施して無電解メ ツ キ導体 層上に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    [0197] (V) 電解メ グ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属を メ ツ キ して各ス ル ー ホ ー ルの少な く と も上下両 端部分の電解メ ツ キ導体層上に低融点金属の層を形 成 し、
    [0198] (v 基板か ら レ ジ ス ト を除去 し、 次いで、
    [0199] (viD 基板をエ ッ チ ン グ して上記導体ホ イ ルの露出 部分を除去する 。
    [0200] 上記第 9 の プ ロ セ ス の 1 例を第 7 A 図乃至第 7 G 図に示す。 第 7 A図乃至第 7 G 図に於いて、 両面に 導体ホ イ ル 1 0 0 a を張設せる基板 1 0 0 を調製す る （ 第 7 A図 ） 。 基板 1 0 0 に第 1 の フ ォ ト レ ジ ス ト （ ド ラ イ フ ィ ル ム ） 1 0 1 a を ラ ミ ネー ト し、 次 い で第 2 の フ ォ ト レ ス ト （ ド ラ イ フ ィ ル ム ）101 b を ラ ミ ネ ー ト する （ 第 7 B 図 ） 。 第 1 の フ ォ ト レ 'ク ス ト 1 0 1 a は無電解メ ツ キに よ っ て導体がそれに 付着する特性を有 し、 第 2 の フ ォ ト レヅス ト 1 0 1 b は無電解メ ツ キに よ って導体がそれに付着しない特 性を持つ。 フ ォ ト レ ジ ス ト を ラ ミ ネ ー ト せる基板に 露光及び _現像を施 して、 信号導体ハ°タ ー ンを形成す べ き部分 1 0 2 に於いて導体ホ イ ル 1 0 0 a が露出
    [0201] ΟΜΡΙ せる レ ジ ス ト ハ。タ ー ンを形成する （ 第 7 C 図 ） 。 ス ル ーホー ル 1 0 4 を形成する （ 第 7 D 図 ） 。 基板に. 無電解メ タ キを施 して第 1 の フ ォ ト レ ジ ス ト 1 0 1 a の露出部分に導体層 1 0 9 を形成する （ 第 7 E 図 ） c 基板に電解メ ツ キを 2 回施して、 第 1 に導体メ ツ キ 層 1 1 0 、 次いで低融点金属メ ツ キ層 1 1 1 を形成 する （ 第 7 F 図 ） 。 第 2 の レ ヅ ス ト 1 0 1 b 、 次い で第 1 の レ ジ ス ト 1 0 1 a を除去 し、 フ ラ ッ シ ュ ェ ツ チ ン グ して、 信号導体ハ。 タ ー ン 1 1 2 及びラ ン ド レス ス ル ー ホ ー ル メ グ キ層 1 1 3 を有するプ リ ン ト 基板 P 3 を得る （ 寧 7 G 図 ） 。
    [0202] 第 7 A 図乃至第 7 G 図について説明 した上記第 9 のプ ロ セ ス の変更態様と して、 信号導体ハ。タ ー ン
    [0203] 1 1 2 及びラ ン ド レ ス ス ル ー-ホ ー ル メ グ キ層 1 1 3 が薄 く て も よい時は第 1 の フ ォ ー ト レ ジ ス ト 101 a の ラ ミ ネ ー シ ヨ ンを省略する こ とができ る 。 この変 更態様においては、 上記に例示 した 9 のプ ロ セ ス と比べて無電解メ ツ キ層 1 0 9 の形成に よ ] 長い時 間が必要と なる 。
    [0204] 第 1 0 の プ ロ セ ス も上記第 9 の プ ロ セ ス の変更態 様である 。 第 1 0 のプ ロ セ スは低融点金属層を形成 するェ.程 Mを最終ェ ッ チ ン グ工程 （vii) の後に行う 点 を除けば上記第 9 の プ ロ セ ス と 同様である 。 即ち、 第 1 0 の プ ロ セ スは次の工程（j)乃至 （vjD を含んでる'
    [0205] OM
    [0206] Λ, WIP る ：
    [0207] (I) 両面に導体ホ イ ルを張設せる基板に、 無電解- メ ツ キに よ って導体が付着 し得る第 1 の レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 さ らに無電解メ グ キに よ つて導体が 付着 しない第 2 の レ ジス ト を ラ ミ ネ ー ト して、 レ ジ ス ト タ ー ン を形成し、
    [0208] ⑤ レ ヅ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設 し、 '
    [0209] (iii) 基板に無電解メ キを施 して、 信号導体ハ° タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ル の内壁面 に無電解 メ ツ キ導体層を形成 し、
    [0210] (jv) 基板に電解メ ツ キを施 して無電解メ グ キ導体 層上に電解メ グ キ導体層を形成し、
    [0211] M 基板か らレ ジ ス ト を除去 し、
    [0212] (vD 基板をエ ッ チ ン グして上記導体ホ ィ ル の露出 部分を除去 し、
    [0213] (yii) 各ス ル ーホ ー ルの少な く と も上下両端部分に 低融点金属の層を形成する 。
    [0214] 第 1 1 の プ ロ セ ス も 第 7 A 図乃至第 7 G 図につい て説明 した上記第 9 のプ ロ セ ス の別の变更態様であ る 。 第 1 1 の プ ロ セ スは次の土程（j)乃至 (viiD を含ん でな る ：
    [0215] (Ί) 両面に導体ホ イ ルを穿設せる基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジ ス ト をハ0 タ ー ン ィ匕して レ ジス ト ハ。 タ ー ン-を形成 し、
    [0216] (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿
    [0217] STL 1
    [0218] し、
    [0219] d 基板に無電解メ ツ キを施してス ル ー ホ ー ル の 内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導体層を形 成し、
    [0220] ¾V) 無電解メ ツ キ導体層の最上及び最下部分を除 ましてレ ジス ト の最上及び最下部分を露出せしめ、 (V) レ ジス ト を露出せる基板に電解メ ツ キを施 し て信号ハ° タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ルの内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成し、
    [0221] 電解メ ツ キ層を形成せる基板に低融点金属を ツ キ して、 少な く と も各ス ル ー ホ ールの上下両端 部分の電解メ ツ キ導体層上に低融点金属の層を形成 し、
    [0222] (vii) 基板か ら レ ジス ト を除去し、 次いで、
    [0223] (viiD 基板をヱ ッ チ ング して上記無電解メ ッ キ導体 層の露出部分を除去する 。
    [0224] 上記第 1 1 のプ ロ セ スを第 8 A 図乃至第 8 G 図に 例示する。 両面に導体ホ イ ル 1 00 aを張設せる基板 1 0 0 ( 第 8 A 図 ） に、 無電解メ ツ キに よ って導体 が付着形成し得る特性を持つフ ォ ー ト レ ジス ト 1 0 1 aをラ ミ ネー ト する （ 第 8 B 図 ） 。 フ ォ ー ト レ ジス ト 1 0 1 aに露光及び現像を施 して、 信^ ·導体ハ0 ター ンを形成すべき 部分並びに ラ ン ド及びス ル ー ホ ール を形成すべき 部分 1 0 3 にお て導体ホ イ ル
    [0225] 1 0 0 aが露出せる レ ス ト ハ。タ ー ンを形成する （ 第 8 C 図 ） 。 ス ル ー ホ ー ル 1 0 4 を形成する （ 第 8 D 図 ） 。 基板に無電解メ ツ キを施 して導体メ ツ キ層
    [0226] 1 1 4 を形成する （ 第 8 E 図 ） 。 こ の導体メ ツ キ層 1 1 4は全表面に亘つて形成されるので、 レ ス ト ' 1 0 1 aの最上及び最下表面に形成される導体メ ツ キ 層 1 1 4 の部分は、 例えば、 研摩に よ っ てま たは接 着テ ー プを用いて除去する （ 第 8 F 図 ） 。 導体メ ッ キ層 1 1 4 の部分を除去する代わ ] に樹脂の よ う な 絶縁材料を導体メ ツ キ層 1 1 4 の最上及び最下両表 面にコ ーテ ィ ン グ して も よ 。 次 で、 基板に電解 メ ツ キを施して導体メ ツ キ層 1 1 5 を形成する （ 第 8 G 図 ） 。 電解メ ツ キせる基板に低融点金属をメ ッ キ して、 導体メ ツ キ層 1 1 5 の上に低融点金属メ ッ キ層 1 1 6 を形成する （ 第 8 G 図 ） 。 レ ジス ト
    [0227] 1 0 1 aを除去し、 フ ラ ッ シ ュ エ ッ チ ン グ して、 信号 導体パ タ ー ン 1 1 'ヽ ラ ン ドのあるスル ーホ ール メ ツ キ層 1 1 7 及びラ ン ド レスス ル ー ホ 一ル メ ツ キ層 1 1 8 を有するプ リ ン ト 基板 P 4 を得る （ 第 8 H 図) c 第 1 2 の プ ロ セ スは低融点金属層を形成する上記 工程 Wを最終ェ ッ チ ン グ工程 （viii) の後に行 う 点を除 けば上記第 1 1 のプ ロ セ ス と 同様である 。'即ち、 第
    [0228] OMPI i 2 のプ ロ セ スは次の工程（i)乃至 （viiD を含んでなる：
    [0229] (i) 両面に導体ホ イ ルを穿設せる基板に レ ジ ス ト ' を ラ ミ ネ 一 ト し、 この レ ジス ト をハ0 タ ー ンィヒ して レ ジス ト ハ0 タ ー ンを形成 し、
    [0230] (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、
    [0231] (ii 基板に無電解メ ツ キを施してス ル ーホー ルの 内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導体層を形 成し、
    [0232] Iv) 無電解メ ッ キ導体層の最上及び最下部分を除 去してレ ス ト の最上及び最下部分を露出せしめ、
    [0233] (V) レ ジ ス ト を露出せる基板に電解メ ツ キを施 し て信号ハ。タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル ーホー ルの内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    [0234] (vi 電解メ ツ キせる基板か ら レ ジス ト を除去し、
    [0235] CviD 基板をエ ッ チ ング して上記無電解メ ツ キ導体 層の露出部分を除去し、 次 で、
    [0236] (viiD 各ス ル ー ホ ー ル の上記上下両端部分に低融点 金属の層を形成する 。
    [0237] 上記第 5 乃至第 1 2 の プ ロ セ スは上記第 1 乃至第 4 のプ ロ セ ス と ik較して以下の点で有利である。 第 1 乃至第 4 の プ ロ セ ス はス ル ー ホ ー ル形成工程と レ ジス ト ハ。ター ン形成工程の間に電解メ ツ キ工程を含 む。 これ らのプ ロ セ ス に於 ては基板が吸湿及び温
    [0238] ΟΜΡΙ
    [0239] WIPO 度変化の為に電解メ ツ キ工程で寸法変化を受けやす く 、 それ故、 形成される レ ジス ト ハ0 タ ー ン と ス ル ー' ホ ール と の位置関係が不正確と なる。 それ故、 高密 度の多層プ リ ソ ト 配線板を製造する為基板の ラ ン ド 導体部分を小さ く した ]) 省いた ！）する こ とが困難と なる 。 第 1 乃至第 4 のプ ロ セ ス とは対照的に、 上記 第 5 乃至第 1 2 の プ ロ セ ス に於 ては、 レ ジス ト ハ0 ター ン形成工程と ス ル ー ホ ー ル形成工程と の間で基 板の寸法変化は起こ らず、 従って、 得 られる基板は 特に高密度の多層プ リ ン ト 配線基板の製造に有利に 使用する こ とができ る 。 上記第 9 及び第 1 0 のプ ロ セ ス に於いては、、 露光 したフ ォ ー ト レ ジス ト の現像 を行って る （ 第 7 C 図 ） 。 しかしなが ら、 こ の現 像はス ル ー ホ ー ル 1 0 4 を形成する前に行われる為、 基板の吸湿は無視 し得る程度に過ぎず、 従って、 レ ジス ト ハ。タ ー ン と ス ル ー ホ ール と の正確な位置関係 を得る こ とができ る 。
    [0240] 本発明の多層プ リ ン ト 配線基板を製造するプ ロ セ スにおいて、 それぞれの基板の間に所望層間間隔を 得る為に各基板に穿設されたス ル ー ホ ー ルを取！） 巻 く一部の ラ ン ド導体ハ0 タ ー ン の厚さを ラ ン ド導体ハ。 タ ー ンの他の部分の厚さ と比較して大き く する こ と が望まれ、 ま たは必要と な る 。 これは次の工程（j )及 ' び（ij)を含むプ ロ セ ス に よ っ て有利に達成される ：
    [0241] OMPI IPO (ί) 基板上に第 1 の導体ハ。 タ ー ンを形成し、 次い で、
    [0242] (ii) 第 1 の導体ハ。 タ ー ン の一部に レ ジ ス ト を形成 し、 第 1 の導体ハ。タ ー ン の他の部分、 即ち上記レ ジ ス ト を形成しなかった部分に第 2 の導体ハ。タ ー ンを 形成する 。 こ の プ ロ セ ス を第 9 A 図乃至第 9 D 図に つ て以下に説明する 。
    [0243] 第 9 A図乃至第 9 D 図に於 て、 両面に導体ホ イ ル 8 1 を張設せる基板 8 0 にス ル ー ホ ー ルを穿設し、 次 で、. 電解メ ツ キ してス ル ー ホ ー ル の内壁面を含 む基板の全表面に導体層 8 2 を形成する （ 第 9 A 図） c 導体をメ ツ キする基板 8 1 の上にフ ォ ー ト レ ジス ト を ラ ミ ネー ト し、 露光し、 現像するかま たはス ク リ ー ン印刷法に よ っ て第 1 の レ ス ト 8 3 を形成し、 次 で、 基板を電解メ ツ キ して第 1 の導体ハ。ター ン 8 4 を形成する （ 第 9 B 図 ） 。 その後第 2 の レ ジス ト 8 5 を第 1 の レ ジス ト 8 3 及び第 1 の導体ハ0 タ ー ン 8 4 の一部の上に形成し、 次いで、 基板に電解メ ツ キを施して第 1 の導体ハ。タ ー ン 8 4 の.その他の部 分、 即ち、 第 2 の レ ジ ス ト 8 5 を形成 し ¾かった部 分に第 2 の導体ハ。タ ー ン 8 6 を形成する （ 第 9 C 図）。 次 で、 基板に低融点金属を メ ツ キ して第 2 の導体 ハ。タ ー ン 8 6 上に低融点金属の層 8 8 を形成する
    [0244] ( 第 9 C 図 ） 。 最後に第 1 の レ ジ ス ト 8 3 及び第 2
    [0245] OMPI の レ ジス ト 8 5 -を基板か ら除去し、 次い'で基板を フ ラ ッ シ ュ エ ッ チング して、 第 9 D 図に示すよ う に他' の導体部分に比べて厚い導体部分を有する印刷基板 を得る 。 上記プ ロ セスに於 て、 第 2 の レ ジ ス ト
    [0246] 8 5 を形成するに先立って、 基板上に形成せる第 1 の レ ジス ト 8 3 と第 1 の導体ハ。タ ーン 8 4 の主面を、 例えば、 サ ン ドぺー ハ。 一を用 て研摩する こ と に よ 1) レ べ リ ングする こ とが望ま し 。 その よ う な レ ぺ リ ン ク、に よ って第 2 の レ ジス ト 8 5 の接着力及び第 1 の導体ハ。タ ー ン 8 4 の厚さの均一性が向上する 。 厚い導体部分と薄い導体部分を有するプ リ ン ト基板 を調製する上記プ ロ セ スは、 前に述べたプ リ ン ト基 板を調製するいかなる プ ロ セ スに も応用する こ とが でき る P
    [0247] 基板に導体ハ。タ ー ンを形成するにはア ジテ ィ ブプ 口 セ ス、 サ ブ ス ト ラ クテ ィ ブ プ ロ セ ス及びその他の 常用されるプ ロ セスのいずれに よ って行う こ と も で き る 。 しか しなが ら、 高精度の導体ハ。タ ーンを得る には以下に述べるセ ミ アジテ ィ ブプ P セスが最も望 ま し 。 こ の セ ミ ア ジ テ ィ ブ プ ロ セ スは以下の逐次 工程（i)乃至 （vii) を含む。 これ らの工程を第 1 O A 図 乃至第 1 0 H 図に略示する 。
    [0248] . (I) ア ル ミ ニ ウ ム ホ イ ル 9 0 の表面を、 例えば、 ヱ ッ チ ン 'グま たは陽極酸化に よ って粗面化する （ 第 '
    [0249] OMPI 1 0 A ¾ ) 。
    [0250] (ID 粗面 9 に薄い導体層 9 1 をメ ツ キする （ 第 1 0 Β 図 ） 。 このメ ツ キは乾式又は湿式の ずれで あって も よい。 導体層 9 1 の厚さは好ま し く は 2 ミ ク ロ ン以下、 よ 好ま し く は 0. 5 ミ ク ロ ン以下とす
    [0251] Ό o
    [0252] (0D 所望 ¾ らば、 薄 導体層 9 1 の露出面に化成 処理を施す。
    [0253] ίν) 導体をメ ツ キせるア ル ミ ニ ウ ム ホ イ ルをその 導体層 9 1 が基板 9 2 に対面する よ う に基板 9 2 の 上に載せ、 次いで、 熱及び圧力を適用 して接着する ( 第 1 0 C 図 ） 。.
    [0254] (V) ア ル ミ ニ ウ ム ホ イ ルを除去して薄 導体層
    [0255] 9 1 を基板 9 2 上に残す （ 第 1 0 D 図 ） 。 このア ル ミ 二 ゥ ム の除去は機械的剝離または化学的ェ ッ チ ン グに よ って行う 。 薄い導体層 9 1 を有する基板 9 2 は次に述べる よ う な常用される セ ミ アジテ ィ ブプ ロ セ スに よ ]9処理すればよ 。
    [0256] ( ) 薄い導体層 9 1 を有する基板 9 2 にフ ォ ー ト レ ジス ト 9 3 をコ ー テ ィ ン グま たはラ ミ ネー ト し、 フ ォ ー ト レ ジス ト 9 3 上にァー ト ワーク フ イ ル ム
    [0257] 9 4 を載せ、 露光し （ 第 1 0 E 図 ） 、 フ ォ ー ト レ ジ ス ト 9 3 を現像してハ0ター ン領域 9 5 の フ ォ ー ト レ ジス ト 9 3 の部分を除去する （ 第 1 0 F 図 ） 。
    [0258] O (Vi ハ0タ ー ン領域 9 5 にメ ツ キ導体層 9 ' 6 を形成 し （ 第 1 0 G 図 ） 、 次いで、 フ ォ ー ト レ ジス ト 9 3 · を除去し、 最後に非ハ。ター ン領域に存在する一部の 薄い導体層 9 1 をエ ッ チ ン グに よ って除去して導体 ハ。タ ー ン 9 2 を得る （ 第 1 0 H図 ） 。
    [0259] 上記工程（i )乃至 M ( 第 1 O A 図乃至第 1 0 D 図 ） に よ って基板 9 2 に形成される導体層 9 1 は常法に 従って形成される導体層 と比較して非常に薄 く する こ とができ るとい う 特徵を持つ。 それ故、 上記非ハ。
    [0260] タ ー ン領域に存在する一部の導体層 9 1 は上記エ ツ チ ング工程 （vii) に於いて短時間に除去する こ とがで き る （ 第 1 0 G 図及び第 1 0 H図 ） 、 従って:、 上記 エ ッ チ ン グ工程にお て導体 9 6 がやせ細る こ とが ¾い。
    [0261] 本発明に係る 中空多層プ リ ン ト 配線基板の-利点は 要約する と次の通 ]) である 。
    [0262] (i ) 中空多層プ リ ン ト配線板はプ リ ン ト 基板間の 層間接着及び層間導通の作用をするス ル ー ホ ー ル導 体メ ツ キ層を有する 。 それ故、 良好な熱放散性及び 優れた寸法安定性を持つ。 こ の こ とは、 部分的にキ ユ ア 一 した合成樹脂を含浸せる ガ ラ ス布を介在せし めてプ リ ン ト基板を積層接着せしめた構造を有する 従来の非.中空多層プ リ ン ト 配線板と著しい対照をな す。 合成樹脂を含浸せしめたガ ラ ス布はキ ュ ア一時
    [0263] OMPI ' に大き ¾収縮を示す'。
    [0264] (ii) 中空多層プ リ ン ト配線板は良好な耐熱性を示 す。 表面基板と してセ ラ ミ ツ ク ま たは絶縁処理され た金属の よ う ¾無機材料ででき たも のを使用 し且つ 中間基板と して絶縁処理された金属ででき たも のを 使用 したも のは特に耐熱性に優る 。 それ故、 部品を 直接中空多層プ リ ン ト配線板の表面に結合する こ と がで き る 。
    [0265] 特に、 信号導体が接地導体で覆われるかま た は取！） 囲まれた構造を有する 中空多層プ リ ソ ト 配線 板においてはク ロ ス ト ーク現象の発生が最小と なる
    [0266] OMPI
    权利要求:
    Claims
    求 の 範 囲
    1- 多数の積層された基板か らなる 中空多層プ リ ' ン ト配線板であ って、 各基板はその少る く と も 1 つ の表面に形成された信号導体ハ。 タ ー ン及びその少な く と も 1 つの表面に形成されたラ ン ドハ。 タ ー ンを有 し、 各基板は絶縁性ガ スま たは液体で満ちた所定の 層間ス ペ ー スを介して積み重ね られてお ]) 、 各基板 はその ラ ン ドハ0 タ ー ン に メ ツ キさ れたス ル ー ホ ー ル を有 し、 各メ ツ キされたス ル ー ホ ー ルは隣 ] の両基 板の各々 ま たは少 ¾ く と も一方のメ ツ キされたス ル 一ホ ール と 同一直線上にあ って 1 つのメ ツ キされた ス ル ー ホ ー ルま えはィ ン タ ー ス テ ィ シ ャ ルパイ ャ ホ ールを形成 してお ] 、 各 メ ツ キ さ れたスルー ホ ール を規定する メ ツ キ層の少 く と も上下両端表面には 低融点金属の層が形成され、 この低融点金属の層が 上記複数の基板の 2 も し く はそれ以上の信号導体ハ。 ター ン間の導通及び複数の基板の層間接着をな して お！） 、 ま た、 積層された上記複数の基板は少 く と も 一方の表面基板を除いて耐熱性有機合成樹脂シ ー ト ま たは絶縁処理された金属シ 一 ト ででき ている中 空多層プ リ ン ト配線板。
    2. 該中空多層プ リ ン ト配線板が積み重ね られた 複数の基.板の層間ス ペースを密閉するための側壁を 有する請求の範囲第 1 項に記載の中空多層プ リ ン ト
    OM l 配線板。 -
    3. その両面に形成されたラ ン ド導体ハ。 タ ー ンを' 有するス ぺーサが隣 ])合う 複数の基板の間に該基板 か ら所定の間隔を置いて介在してお ]) 、 該ス ぺーサ はそのラ ン ド導体ハ。タ ーンにメ ツ キされたス ル ーホ ー ル を有 し、 各メ ツ キされた ス ル 一 ホ ー ルは隣接す る基板のメ ツ キされたス ル ーホールと 同一直線上に あ って 1 つのメ ツ キされたス ル ーホー ルま たはィ ン ク ーステ ィ シ ャ ル パ イ ャホー ルを形成して る請求 の範囲第 1 項ま たは第 2 項に記載の.中空多層プ リ ン 卜配線板 o
    4. 該絶緣処理された金属シ ー ト が陽極酸化せる 金属シ ー ト である請求の範囲第 1 項乃至第 3 項の ずれかに記載の中空多層プ リ ン ト 配鎳板。
    5. 該絶緣処理された金属シー ト が絶緣材料の層 を付着形成せしめた金属シ ー ト である請求の範囲第 1 項乃至第 3 項のいずれかに記載の中空多層プ リ ン ト配線板。
    6. 該絶緣処理された金属シー ト が、 金属シ ー ト を陽極酸化し、 次いでこの陽極酸化したシー ト に絶 縁材料をコーテ ィ ン グま たはラ ミ ネー ト する こ と に よ 調製されたも のである請求の範囲第 1 項乃至第
    3 項のいずれ.かに記載の中空多層プ リ ン ト配線板。
    7. 該耐熱性有機合成樹脂シー ト がボ リ イ ミ ド、 エ ポ キ シ樹脂または ト リ ア ジ ン樹脂でで き てい る請 求の範囲第 1 項乃至第 3 項のいずれかに記.载の中空' 多層プ リ ン ト配線板。
    8. 表面基板の少な く と も一方が無機耐熱材料で でき ている請求の範囲第 1 項乃至第 7 項のいずれか に記載の中空多層プ リ ン ト 配線板。
    9. 該無機耐熱材料がセ ラ ミ ッ ク ま たは絶緣処理 された金属である請求の範囲第 8 項に記載の中空多 層プ リ ン ト 配線板。
    10. 複数の基板の少な く と も 1 つが非中空多層プ リ ン ト配線板である請求の範囲第 1 項乃至第 9 項の いずれかに記載の中空多層プ リ ン ト 配線板。
    11- その少な く と も一方の表面に形成された信号 導体ハ。ター ンを有 し、 その少 く と も一方の表面に 形成されたラ ン ド導体ハ0タ ーンを有するセ ラ ミ ッ ク 基板を所定のス ペ ー スを置いて、 少な く と も該セ ラ ミ ッ ク基板に対向する面に形成されたラ ン ド導体ハ。 タ ーンを有 し耐熱性有機合成樹脂材料ででき た非中 空多層プ リ ン ト配線板に積み重ね られてお 、 上記 セ ラ ミ ッ ク基板はその ラ ン ド導体ハ0タ ーンに貫通接 続ハ0 ッ ドま たはメ ツ キされたス ル ー ホ ー ルを有 し、 該貫通接続ハ。 ッ ドま たはメ ツ キされたス ル ー ホ ー ル の各 々は上記非中空多層プ リ ン ト配線板の ラ ン ド導 体ハ°ター ン に形成されたメ ツ キされたス ル ー ホ ー ル
    OMPI TPO と 同一線上にあ ってス ル ー ホ ー ルま たはィ ン タ 一ス テ ィ シ ャ ルパイ ャホ ー ルを形成している請求の範囲' 第 1 0 項に記載の中空多層プ リ ン ト 配線板。
    12. 該信号導体ハ。ター ンは、 該信号導体ハ。タ ー ン とは電気的に隔離され且つ該信号導体ハ。タ ーン と 同 一基板面上に形成されえ接地導体ハ。 タ ー ン で覆われ ている請求の範囲第 1 項乃至第 1 1 項の ずれかに 記載の中空多層プ リ ン ト 配線板。
    13. 該信号導体ハ。ターンは、 該信号導体ハ。タ ーン とは電気的に隔離され且つ該信号導体ハ。ターン と 同
    —基板面上に形成された第 1 の接地導体ハ。 タ ー ン の 導体に よ って挾まれてお ] 、 さ らに、 上記信号導体 ハ。 タ一ンは該信号導体ハ。 タ一ン と は電気的に隔離さ れ且つ該信号導体ハ。 タ ー ンが形成された基板に隣接 する基板ま たはス ぺーサの対向面上に形成された第
    2 の接地導体ノタ タ ンに よ っ て覆われてお 、 該第 2 の接地導体ハ。ターンは上記信号導体ハ。タ ー ン及び 第 1 の接地導体ハ。 タ ー ン の上記導体を覆う に充分な 広さを有する請求の範囲第 1 項乃至第 1 1 項のいず れかに記載の中空多層プ リ ン ト 配線板。
    14. 次の 2 つの工程を含んでなる 中空多層プ リ ン ト配線板の製法 ：
    少な く .と も一方の表面に形成された信号導体ハ°タ ーンを有し、 少 く と も一方の表面に形成されたラ
    OMPI
    ノノ 0 ン ド導体ハ° タ ー ンを有 し、' さ らに該ラ ン ド導体ハ。 タ 一ンにメ ツ キされたス ル ーホー ルを有し、 該メ ツ キ' されたス ル ー ホ ー ルを規定する各メ ッ キ層の少な く と も上下両端表面には低融点金属の層が形成されて
    る複数のプ リ ン ト基板を調製し、 次いで、
    上記プ リ ン ト基板の各メ ツ キされたス ル ーホー ル
    が隣 ] の両基板の各々 ま たは少な く と も一方のメ ッ キされたス ル ー ホ ー ル と 同一直線.上に位置する よ う に上記複数のプ リ ン ト基板を積み重ね、 低融点金属 の層を有する基板を隣接する基板に融着するに充分 な熱及び圧力を適用する 。
    15. 該プ リ ン ト 基板を次の工程（j)乃至 （viD を含む プ ロ セ スに よ って調製する請求の範囲第 1 4 項の製 it .
    ( i ) ス ル ー ホ ー ルが穿設された基板を調製 し、
    (ii) 該基板に無電解メ ツ キを施 して、 ス ル ー ホ 一 ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導体層 を形成し、
    d 無電解メ ツ キ した基板にレ ジ ス ト を ラ ミ ネ 一 ト し、 レ ジス ト をハ。ター ンィヒして レ ジス ト ハ0タ ー ン を形成し、
    <N) レ ジ ス ト を形成した基-板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及びラ ン ド導体ハ0ター ンを形成す べ き領'域及び各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に電解メ ツ キ
    Ο ΡΪ WIP。一 導体層を形成 し、 '
    (V) 電解メ ツ キ導体層を形成 した基板に低融点金' 属をメ ツ キ して、 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下 ラ ン ド部分に形成された電解メ ツ キ導体層上に低融 点金属の層を形成し、
    (v 基板か ら上記レ ジス ト を除去し、 次 で、
    Cvii) 基板をエ ッ チ ン グ して、 上記無電解メ ツ キ導 体層の露出部分を除去する 。
    16. 該プ リ ン ト 基板を次の工程（i)乃至 （vji) を含ん でなるプ ロ セ スに よ i 調製する請求の範囲第 1 4 項 に記載の製法 ：
    (I) ス ル ー ホ ー ルを'穿設してなる基板を調製し.、
    (ii) 該基板に無電解メ ツ キを施 して、 ス ル ー ホ ー ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導体層 を形成し、
    d 無電解メ ツ キせる基板にレ ジス ト をラ ミ ネ一 ト し、 この レ ジス ト をハ0タ ー ンィ匕してレ ジス ト ハ0タ ― ンを形成 し、
    <ίν) こ の レ ジス ト を形成した基板を電解メ ツ キ し て、 信号導体ハ。 タ ー ン及びラ ン ド導体ハ0 タ ー ンを形 成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ルの内壁面に電解メ · ッ キ導体層を形成 し、
    (V) こ.の電解メ ツ キせる基板か ら レ ジ ス ト を除丟 し、
    ΟΜΡΙ
    /»> WIPO (Vl この基板をエ ッ チング して、 上記無電解メ ッ キ導体層の露出部分を除去し、 次いで、
    (vii) 少 く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下両ラ ン ド咅 分に低融点金属の層を形成する 。
    17. 該プ リ ン ト基板を次の工程（j)乃至 （viD を含ん でなるプ ロ セ スに よ ] 調製する請求の範囲第 1 4 項 項記載の製法 ：
    (Ί) 少な く と も一つの表面に信号導体ハ。 タ ーンを 有し、 少な く と も一つの表面に ラ ン ド導体ハ。 タ ー ン を有する基板の該ラ ン ド導体ハ0 タ ー ン に ス ル ー ホ ー ルを穿設し、
    (ii) 該基板に無電解メ ツ キを施'して、 上記ス ル ー ホ ール の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導 体層を形成 し、
    無電解メ ツ キせる基板にレ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジ ス ト をハ。 タ ー ン ィ匕してレ ジ ス ト ハ0 タ 一ンを形成 し、
    ί ) この レ ジ ス ト を形成せる基板を電解メ ツ キ し て、 各ス ル ー ホ ー ルの内壁面及び上下両ラ ン ド部分 に電解メ ツ キ導体層を形成 し、 '
    (V) 電解メ ッ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属をメ ッ キ して、 少 く と も 各 ス ル ホ ー ルの上下両 ラ ン ド部分に形成された電解メ ツ キ導体層上に低融 点金属の層を形成 し、 基板か ら レ ジ ス ト を除去し、 つ で、 -
    (vii) 基板をエ ッ チ ン グ して、 上記無電解メ ツ キ導 体層の露出部分を除去する。
    18. 該プ リ ン ト 基板を次の工程（j)乃至 （vii) を含ん でなるプ ロ セ スに よ ])調製する請求の範囲第 1 4 項 記載の製法 ：
    (I) 少な く と も一つの表面に信号導体ハ。タ ー ンを 有し、 少な く と も 一つの表面に ラ ン ド導体ハ。ター ン を有する基板の該ラ ン ド導体ハ。タ ー ン に ス ル ー ホ ー ルを穿設 し、 -
    (ii) 該基板に無電解メ ツ キを施 して、 上記ス ル ー ホ ー ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導 体層を形成し、
    d この無電解メ ツ キせる基板にレ ジス ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジス ト をハ0 タ ー ンィヒしてレ ジス ト ハ0ター ンを形成 し、
    U この レ ジ ス ト を形成せる基板を電解メ ツ キ し て 、 各ス ル ー ホ ー ル の内壁面及び上下両ラ ン ド部分 に電解メ ツ キ導体層を形成し、
    (V) 電解メ ツ キせる基板か ら レ ジ ス ト を除去し、 基板をエ ッ チング して、 上記無電解メ ツ キ導 体層の露出部分を除去し、 ついで、
    (vii) 少.な く と も各ス ルー ホ ー ル の上下両ラ ン ド部 分に低融点金属の層を形成する 。
    19. 該'プ リ ン ト基板を次の工程（j)乃至 (V を含んで なるプ ロ セ スに よ ] 調製する請求の範囲第 1 4 項に 記載の製法 ：
    (i) 両面に形成された導体ホ イ ル を有する基板に レ ジス ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジス ト をハ0 タ ー ン ィ匕してレ ジ ス ト ハ。タ ー ンを形成 し、
    (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、
    d 基板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及 びラ ン ド導体ハ0 タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル
    — ホ ールの内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    <ίν) 電解メ ッ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属をメ ジ キ して、 少 ¾ く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下 両ラ ン ド部分上に形成された電解メ ッ キ導体層上に 低融点金属の層を形成し、
    (V) 基板か ら レ ジ ス ト を除去 し、 ついで、
    (ν 基板をヱ ツ チン ク、 して、 上記導体ホ イ ル の露 出部分を除去する 。
    20. 該プ リ ン ト基板を次の工程（'|)乃至 ^を含んで なるプ ロ セ スに よ J 調製する請求の範囲第 1 4項に 記載の製法 ：
    (i) 両面に形成された導体ホ イ ルを有する基板に レ ジス ト を ラ ミ ネ ー ト し、 こ の レ ジス ト をハ0 タ ー ン ィ匕してレ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成 し、
    ΟΪ-ίΡΙ (ii) レ ジス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、 ·
    (ii 基板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及 びラ ン ド導体ハ。タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル 一ホ ー ル の内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成し、
    dv) 電解メ ツ キせる基板か ら レ ジ ス ト を除去し、
    (V) 基板をエ ッ チ ン グ して、 上記導体ホ イ ル の露 出部分を除去し、 ついで.、
    ^ 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下両ラ ン ド部 分に低融点金属の層を形成する 。
    21. 該プ リ ン ト基板を次の工程（i)乃至 (νίを含んで なるプ ロ セ スに よ ] 調製する請求の範囲第 1 4 項に 記載の製法 ：
    (i) 両面に形成された導体ホ イ ルを有する基板に レ ジ ス ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジス ト をハ0 タ ー ン 化してレ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成し、
    (ii) レ ジス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、
    diD 基板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ。ター ンを 形成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に電解 メ ツ キ導体層形成し、
    U 電解メ ッ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属を メ ツ キ して、 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下 両端部分上に形成された電解メ ツ キ導体層上に低融
    O PI
    WIPO ' 点金属の層を形成し、 -
    (V) 基板か ら レ ジ ス ト を除去し、 ついで、
    (νί 基板をエ ッ チ ン グ して 、 上記導体ホ イ ル の露 出部分を除まする 。
    5
    22. 該プ リ ン ト基板を次の工程（j)乃至 Μを含んで なるプ ロ セ スに よ ]) 調製する請求の範囲第 1 4 項に 記載の製法 ：
    (i) 両面に形成された導体ホ イ ルを有する基板に レ ジス ト を ラ ミ ネー ト し、 こ の レ ジ ス ト をハ。タ ー ン
    1 0 ィ匕して レ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成し、
    (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、 . 、
    (iiD 基板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ。 ー ンを 形成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に電解
    1 5 メ ツ キ導体層を形成 し、
    ^ 電解メ ツ キせる基板か ら レ ジス ト を除去し、
    M 基板をエ ッ チ ン グ して 、 上記導侔ホ イ ル の露 出部分を除去し、 ついで、
    (V 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下両端部分に
    20 低融点金属の層を形成する 。
    23. 該プ リ ン ト基板を次の工程（j)乃至 （viiD を含ん でなるプ ロ セ スに よ ] 調製する請求の範囲第 1 4 項 記載の製法 ：
    24 (j ) 両面に形成された導体ホ イ ルを有する基板に
    OMPI レ ジス ト を-ラ ミ ネー ト し、 こ の レ 'クス ト をハ0 タ ー ン ィ匕じて レ 'ノス ト ハ0タ ー ンを形成し、
    (ii) レ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、
    基板に無電解メ ツ キを施して、 上記ス ルー ホ ー ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ツ キ導体 層を形成 し、
    dv) 無電解メ ッ キ導体層の最上及び最下部分を除 去して、 レ ジス ト の最上及び最下部分を露出せしめ
    (V) レ ジ ス ト を露出せる基板を電解メ ツ キ して、 信号導体ハ°タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ルの内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    (V) 電解メ ツ キ導体層を形成せる基板に低融点金 属を メ ツ キ して、 少 く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下 両端部分上に形成せる電解メ ツ キ導体層上に低融点 金属の層を形成 し、
    (vii) 基板か ら レ クス ト を除去し、 つ で、
    CviiD 基板をエ ッ チ ング して、 上記無電解メ ツ キ導 体層の露出部分を除去する 。
    24. 該プ リ ン ト基板を次の工程（D乃至 （viiD を含ん でなるプ ロ セ スに よ ]) 調製する請求の範囲第 1 4 項 記載の製法 ：
    (!) 両面に形成された導体ホ イ ルを有する基板に レ ジス ト を ネー ト し の レ ジス ト を ノタ タ ニ ン ィ匕してレ ジ ス ト ハ。タ ー ンを形成 し、
    (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿' し、
    (iiD 基板に無電解メ ツ キを施 して、 上記ス ルーホ
    5 — ル の内壁面を含む基板全表面に無電解メ ッ キ導体 層を形成し、
    ίν) 無電解メ ツ キ導体層の最上及び最下部分を除 去して、 レ ジ ス ト の最上及び最下部分を露出せしめ
    (V) レ 'クス ト を露出せる基板を電解メ ツ キ して、
    1 0 信号導体ハ。 タ ー ンを形成すべき領域及び各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    (vl» 電解メ ツ キ せる基板か ら レ 'クス ト を除去し、 ' (vii) 基板をエ ッ チ ン グ し て、 上記無電解メ ツ キ導 体層の露出部分を除去し、 ついで、
    i s (viiD 少な く と も各ス ルー ホ ール の上下両端部分に 低融点金属の層を形成する 。
    25. 該プ リ ン ト 基板を次の工程（i)乃至 （vii) を含ん でな るプ ロ セ スに よ ] 調製する請求の範囲第 1 4 項 に記載の製法 ：
    20 (!) 両面に形成された導体ホ イ ルを有する基板に 無電解メ ツ キに よ 導体を付着する こ とができ る第 1 の レ ジス ト を ラ ミ ネー ト し.、 更に無電解メ ツ キに よ ]) 導体.を付着する こ とができ ない第 2 の レ 'クス ト
    2 を ラ ミ ネ一 ト して、 両者の レ ジ ス ト ハ。 タ ー ンを形成 し、
    (ii) レ ヅ ト を形成せる基板にス ル ー ホ ー ルを穿 設し、
    dii) 基板に無電解メ ツ キを施 して、 信号ハ。タ ーン を形成すべき領'域および各ス ル ー ホ ー ル の内壁面に 無電解メ ツ キ導体層を,形成し、
    ^ 基板を電解メ ツ キ して、 上記無電解メ ツ キ導 体層上に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    (V) 電解メ ツ キ導体層を.形成せる基板に低融点金 属をメ ツ キ して、 少な く と も各ス ル ー ホ ー ル の上下 両端部分上に形成せる電解メ ッ キ導体層上に低融点 金属の層を形成 し、
    ^ 基板か ら レ ジス ト を除去し、 つ で
    CviD 基板をエ ッ チング して、 上記導体ホ イ ルの露 出部分を除去する。
    26. 該プ リ ン ト基板を次の工程（i)乃至 （vii) を含ん でなるプ ロ セ スに よ ])調製する請求の範囲第 1 4 項 に記載の製法.：
    (i) 両面に形成された導体ホ イ ル を有する基板に 無電解メ ツ キによ ]J導体を付着する こ とができ る第
    1 の レ ジス ト を ラ ミ ネー ト し、 更に無電解メ ツ キに よ ] j 導体を付着する こ とができ ない第 2 のレ ジ ス ト を ラ ミ ネ一 ト して、 両者の レ ジス ト ハ0 タ ー ンを形成 しヽ '
    磁 OMPI
    く 1 PO ' (ii) レ ジス ト を形成せるス ル ーホ ー ルを穿設し、 (iiD 基板に無電解メ ツ キを施 して、 信号ハ。タ ー ン' を形成すべき領域およ び各ス ル ー ホ ー の内壁面に 無電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    ) 基板を電解メ ツ キ して、 上記無電解メ ツ キ導 体層上に電解メ ツ キ導体層を形成し、
    (V) 基板か ら レ ジス ト を除去し、
    (ν 基板をエ ッ チ ン グ して、 上記導体ホ イ ルの露 出部分を除去し、 ついで、
    (vii) 少な く と も各ス ル ー ホ ールの 下両端部分に 低融点金属の層を形成する 。
    27. その両面に形成されたラ ン ド導体ハ。 タ ー ン に メ ツ キされたス ル ー ホ ー ルを有 し、 該メ ツ キされた' ス ル ー ホ ー ルを規定する各メ ツ キ層の少な く と も上 下両端部表面に低融点金属の層が形成されたス ぺ ー サを介在して、 上記メ ツ キされたス ル ー ホ ー ルを有 する基板を該基板のメ ツ キされたス ル ーホールと介 在せしめるス ぺ ーサのメ ツ キされたス ル ーホールと が同一直線上にあ ってメ ツ キされたス ル ーホー ルま たはィ ン タ 一ス テ ィ シ ャ ルパイ ャ ホ ールを形成する よ う に上記基板を積層する請求の範囲第 1 4 項乃至 第 2 6 項のいずれかに記載の製法。 .
    28. 次の 3 つの工程を含んで ¾る中空多層プ リ ン ト配線板の製法 ： 少な く と も一方の表面に形成された信号導体ハ°タ ー ン を有 し、 少な く と も一方の表面に形成されたラ' ン ド導体ハ。 タ ー ンを有し、 さ らに少な く と も該ラ ン ド導体ハ。タ ー ン上に形成された低融点金属の層を有 する耐熱性有機合成樹脂シー ト ま たは絶緣処理され た金属シ ー ト ででき たプ リ ン ト基板を調製し、
    低融点金属の層が形成された各基板の ラ ン ド導体 ハ。タ ー ンが隣接する基板の低融点金属の層が形成さ れた ラ ン ド導体ハ。タ ー ン と接触する よ う に各基板を 積み重ね、 低融点金属の層を有する各基板が隣接す る基板に融着する に充分な熱及び圧力を適用 し、 次 でヽ 、
    積層された基板の融着ラ ン ド導体ハ。 タ ー ン に ス ル 一ホ ー ルを穿設し、 該ス ルー ホ ー ル の少な く と も 内 壁面にメ ツ キ導体層を形成して複数の基板の 2 も し く はそれ以上の信号導体ハ。ター ン間の導通作用を すメ ツ キされたス ル ー ホ ー ルを完成する 。
    29. 該印刷基板を次の工程（D乃至 v)を含んでなる プ ロ セ スに よ ] 調製する請求の範囲第 2 8 項に記載 の製法 ：
    (Ϊ ) その両面に導体ホ イ ルが形成された基板にレ ジス ト を ラ ミ ネ ー ト ま たはコ ーテ ィ ング し、 この レ ジス ト をハ0タ ー ンィ匕 して レ ジス ト ハ。タ ー ンを形成 し、 (Ϊ!) レ ジ ス ト を形成せる基板に低融点金属をメ ッ
    ΟΙ ― / IPO" キ して、 信号導体ハ。タ ー ン及びラ ン ド、導体ハ。ター ン を形成すべき領域に低融点金属メ ツ キ層を形成し、 ' d 基板か ら レ ジス ト を除去 し、 次いで、
    ) 基板をエ ッ チ ン グ して上記導体ホ イ ル の露出 部分を除去する。
    30. 工程（i) で得 られたレ ジス ト を形成せる基板を ェ程（ii)に付す ^先立って、 導体でメ ツ キ して、 信号 導体ハ。タ ー ン及びラ ン ド導体ハ。ター ンを形成すべき 領域に導体メ ツ キ層を形成する請求の範囲第 2 9 項 に記載の製法。
    31. 該印刷基板を次の工程（i)乃至 )を含んでなる プ ロ セ スによ ！） 調製する請求の範囲第 2 8 項に記载 の製法 ：
    (i) その両面に導体ホ イ ルが形成された基板にレ ジス ト を ラ ミ ネー ト ま たはコ 一テ ィ ン グ し、 このレ ジス ト をハ0タ ー ンィ匕してレ ジス ト ハ0ター ンを形成し、
    (ii) レ ス ト を形成せる基板をエ ッ チング して上 記導体ホ イ ル の露出部分を除去し、
    基板か ら レ ジス ト を除去し、 次いで、
    ^ 少な く と もその よ う に形成されたラ ン ド導体 ハ。タ ー ン上に低融点金属の層を形成する 。
    32. 該プ リ ン ト基板を次の工程（j)乃至 (V)を含んで る プロ .セ スに よ ]) 調製する請求の範囲第 2 8 項に 記載の製法 ： (i) その両-面に導体ホ イ ルが形成された基板に レ ジス ト を ラ ミ ネ ー ト ま たはコ ーテ ィ ン グ し、 該レ ジ ス ト をハ。タ ー ンィ匕して レ ジ ス ト ハ0タ ー ンを形成し、
    (ii) レ ジ ス ト を形成せる基板を電解メ ツ キ して信 号導体ハ。ター ン及びラ ン ド導体ハ。タ ー ンを-形成すべ き領域に電解メ ツ キ導体層を形成 し、
    (iiD 基板か ら レ ジス ト を除去し、
    ίν) 基板をエ ッ チ ン グ して上記導体ホ イ ルの露出 部分を除去し、 次 で、
    (V) 少な く と もその よ う に形成されたラ ン ド導体 ハ。ター ン上に低融点金属の層を形成する。
    33. その両面に形成されたラ ン ド導体ハ。タ ー ン上 に低融点金属の層を有するス ぺーサを介在して、 ラ ン ド導体ハ。タ ー ン上に低融点金属の層が形成された 上記各基板の低融点金属層が介在せしめるス ぺ 一サ の低融点金属層 と接触する よ う に各基板を積層する 請求の範囲第 2 8 項乃至第 3 2 項の ずれかに記載 の製法。
    34. 積層された複数の基板の周側部に側壁を形成 して、 積層された基板の層間ス ペ ー スを密閉する請 求の範囲第 1 4 項乃至第 3 3 項のいずれかに記載の 製法。
    35. 該絶縁処理された金属シー ト と して、 陽極酸 化せる金属シー ト を使用する請求の範囲第 1 4 項乃 至第 3 4 項のいずれかに記載の製法。
    .
    36. 該絶緣処理された金属シー ト と して、 絶緣材'
    料層を付着形成せしめた金属シ ー ト を使用する請求
    の範囲第 1 4 項乃至第 3 4 項のいずれかに記載の製
    法 O
    37. 該絶緣処理された金属シ ー ト と して、 金属シ
    — ト を陽極酸化し、 次いでこの陽極酸化せる シー ト
    に絶縁材料をコ ーテ ィ ン グ又はラ ミ ネ一 ト する こ と
    によ 調製された金属シー ト を使用する請求の範囲
    0 第 1 4 項乃至第 3 4 項のいずれかに記載の製法。
    38. 該有機合成樹脂シー ト と して ポ リ イ ミ ド シ ー
    ト 、 エ ポ キ シ樹脂シ ー ト 又は ト リ ァ ジ ン樹脂シー ト
    を使用する請求の範囲第 1 4 項乃至第 3 7 項のいず
    れかに記載の製法。
    5 39. 少な く と も ひとつの表面基板と して無機耐熱
    材料ででき たシ ー ト を使用する請求の範囲第 1 4項
    乃至第 3 8 項の ずれかに記載の製法。
    40. 無機耐熱材料がセ ラ ミ ッ ク又は絶緣処理され
    た金属である請求の範囲第 3 9 項に記載の製法。
    0 41. 少 く な く と も ひとつの基板と して非中空多層
    プ リ ン ト配線板を使用する請求の範囲第 1 4 項乃至
    第 4 0 項の ずれかに記載の製法。
    42. そ ©少な く と も一方の表面に形成された信号
    4 導体ハ。ター ンを有 し、 その少な く と も一方の表面'に
    OMPI · ん WIPO . 形成されたラ ン ド導体ハ。タ ー ンを有 し、 該ラ ン ド導 体ハ。タ ー ン に貫通接続ハ° ッ ド又はメ ツ キされたス ル' 一ホ ールを有する セ ラ ミ ッ ク基板を所定のス ペ ー ス をおいて、 少な く と も該セ ラ ミ ッ ク基板に対向する 形成されたラ ン ド導体ハ。タ ー ンを有 し耐熱性有機合 成樹脂材料ででき た非中空多層プ リ ン ト 配線板の ラ ン ド導体ハ0ター ン に形成されたメ ツ キされたス ル ー ホ ール と 、 上記セ ラ ミ ッ ク基板の貫通接続ハ0 ッ ド又 はメ ツ キされたスルー ホール とが同一線上にあ って メ ツ キされたス ル ー ホ ー ル又はィ ンク ー ス テ ィ シ ャ ル パ ィ ァ ホ ー ルを形成する よ う に上記セ ラ ミ ッ ク基 板と非中空多層プ リ ン ト配線板と を積層する請求の 範囲第 1 4項乃至第 3 4項のいずれかに記載の製法。
    43. 該信号導体ハ。 ターンは、 該信号導体ハ。 タ ー ン とは電気的に隔離され且該信号導体ハ。 タ ー ン と同一 基板面上に形成された接地導体ハ。 タ ー ンで覆われて いる請求の範囲第 1 4 項乃至第、 4 2項のいずれかに 記載の製法。
    44. 該信号導体ハ。 タ ー ンは、 該信号導体ハ。 ターン とは電気的に隔離され且該信号導体ハ。 タ ーン と同一 基板面'上に形成された第 1 の接地導体パ タ ー ンの導 体に よ って挾まれてお ] 、 更に、 上記信号導体ハ°タ —ンは該信号導体ハ。ターン と は電気的に隔離され且 該信号導体ハ。 タ ー ンが形成'された基板に隣接する基 板又はス ぺ ーサの対向面上に形成された第 2 の接地 導体 タ ー ンに よ って覆われてお 、 該第 2 の接地' 導体ハ。 タ ー ンは上記信号導体ハ。 タ ー ン及び第 1 の接 地導体 タ ー ンの上記導体を覆う に十分な広さを有 する請求の範囲第 1 4 項乃至第 4 2 項の ずれかに 記載の製法。
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    US4368503A|1983-01-11|
    ES499462D0||
    JPS55156395A|1980-12-05|
    EP0028657A4|1982-11-08|
    ES8202469A1|1982-01-16|
    US4528072A|1985-07-09|
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    ES499461A0|1982-01-16|
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    ES499461D0||
    EP0028657A1|1981-05-20|
    CA1149518A|1983-07-05|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1980-11-27| AK| Designated states|Designated state(s): AU BR US |
    1980-11-27| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB |
    1981-01-16| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1980900951 Country of ref document: EP |
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    1988-08-10| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1980900951 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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